| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips mit einem Dünnschichtelement (11) auf Basis von III-V-Nitridhalbleitermaterial, bei dem eine Schichtenfolge des Dünnschichtelements (11) auf einem Epitaxiesubstrat (100) abgeschieden wird, das Dünnschichtelement mit einem Träger (5) verbunden wird und das Epitaxiesubstrat (100) von dem Dünnschichtelement entfernt wird. Das Epitaxiesubstrat (100) weist einen Substratkörper (1) aus PolySiC oder PolyGaN bzw. aus SiC, GaN oder Saphir auf, der vermittels einer Haftschicht (3) mit einer Aufwachsschicht (2) verbunden ist, und auf der die Schichtenfolge des Dünnschichtelements (11) epitaktisch abgeschieden wird. Weiterhin wird ein derart hergestellter strahlungsemittierender Halbleiterchip beschrieben.</p> |
