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<p>L'invention concerne un procédé et un appareil de formation d'une couche de silicium polycristallin sur un substrat de verre préalablement recuit. Dans un aspect, le procédé consiste à charger un substrat de verre préalablement recuit dans une chambre de dépôt, à déposer une couche de silicium amorphe sur le substrat de verre préalablement recuit, et à recuire le substrat de verre préalablement recuit pour y former une couche de silicium polycristallin. La couche de silicium polycristallin peut être déposée simultanément à l'étape de recuisson afin de former la couche de silicium polycristallin sur le substrat de verre préalablement recuit. Une couche de nitriture et/ou une couche d'oxyde peut être déposée préalablement au dépôt de la couche de silicium amorphe et à la recuisson du substrat de verre préalablement recuit.</p> |
