| 摘要 |
<p>본 발명은 절연막 라이너층 위에 절연층이 균일하게 성장하도록 함으로써 질화막 라이너층과의 계면에서 절연층이 뜯겨져 나가는 불량을 방지할 수 있는 개선된 트렌치 격리영역 형성방법을 제공하는 것으로서, 반도체 기판의 일면내에 소정 깊이로 트렌치를 형성하는 단계; 상기 트렌치를 포함한 기판상에 질화막 라이너층을 형성하는 단계; 상기 질화막 라이너층상에 고르게 분포된 가스분포영역을 형성하기 위하여 오존가스를 주입하는 단계; 상기 트렌치를 충전하여 절연층을 형성하기 위하여 오존가스와 TEOS 케미칼을 동시에 주입하는 단계; 로 이루어진 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 반도체 소자내에 균일하게 형성된 트렌치 격리영역, 즉, 질화막 라이너층과 절연층의 밀착도가 크게 향상되어 균일한 밀도를 가진 트렌치 격리영역을 얻을 수 있는 유용한 발명이다.</p> |
