发明名称 PRESSURE WELDING TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND POWER CONVERTER
摘要 <p>2중 링형상 게이트 도체(9)는 게이트 전극(2a)에 접속된 제 1 링형상 게이트 도체(7)와, 제 2 링형상 게이트 도체(8)와, 제 1 링형상 게이트 도체(7)와 제 2 링형상 게이트 도체(8)를 접속하는 접속 도체(13)로 구성하고, 제 1 링형상 게이트 도체(7)와 제 2 링형상 게이트 도체(8)와 캐소드 포스트 전극(4)을 자기/상호 인덕턴스에 의한 전압 강하가 같아지도록 구성함으로써, 각 단위 소자(세그먼트)를 통하는 병렬 인덕턴스를 거의 균등화 할수 있어서, 소자 면내의 게이트 전류 분포를 거의 균등화할 수 있다.</p>
申请公布号 KR100326107(B1) 申请公布日期 2002.03.07
申请号 KR19990019285 申请日期 1999.05.27
申请人 null, null 发明人 고다니가즈야;마쓰모도도시아끼;도비따마사유끼
分类号 H01L29/744;H01L21/52;H01L23/48;H01L29/74 主分类号 H01L29/744
代理机构 代理人
主权项
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