| 发明名称 | 用于对磁阻随机存取存储器进行无损耗写入的装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种对MRAM进行无损耗写入的装置,其中如此地调整位线(BL0,…BL4)或字线上的电压,使得位于所选定的字线(WL)或位线与各位线(BL0,…BL1)或字线之间的存储单元(Z0,…Z4)上的单元电压为最小。 | ||
| 申请公布号 | CN1338756A | 申请公布日期 | 2002.03.06 |
| 申请号 | CN01124763.0 | 申请日期 | 2001.08.02 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | D·戈格尔;H·坎多夫;S·拉默斯 |
| 分类号 | G11C11/02;G11C7/00 | 主分类号 | G11C11/02 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;张志醒 |
| 主权项 | 1.用于对MRAM进行无损耗写入的装置，所述的MRAM具有许多存储单元(Z0，Z1，…)，而这些存储单元在存储单元区内分别被装设在字线(WL)和位线(BL；BL0，BL1，…)之间，其中，当向一个确定的存储单元实施写入时，在与该存储单元相连的选定字线(WL)上会出现电压降(V1-V2)，其特征在于：如此地调整所述位线(BL；BL0，BL1，…)上的电压，使得位于所选定的字线(WL)与各位线(BL；BL0，BL1，…)之间的存储单元(Z0，Z1，…)上的单元电压为最小。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||