发明名称 |
Ion implantation apparatus suited for low energy ion implantation and tuning method therefor |
摘要 |
|
申请公布号 |
GB0201262(D0) |
申请公布日期 |
2002.03.06 |
申请号 |
GB20020001262 |
申请日期 |
2002.01.21 |
申请人 |
SUMITOMO EATON NOVA CORPORATION |
发明人 |
|
分类号 |
C23C14/48;H01J27/02;H01J37/08;H01J37/317;H01L21/265 |
主分类号 |
C23C14/48 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|