| 发明名称 | 电介质元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种有经过精细加工的电介质元件的制造方法。该方法包括利用由氢氟酸和氧化剂构成的腐蚀剂，将在基板上形成的电介质膜蚀刻成规定的图形的工序、以及通过利用由还原剂构成的第1处理液、接着利用由酸构成的第2处理液分别进行处理，将蚀刻残渣除去的工序。能不产生残渣而使电介质膜形成精细的图形。$#! | ||
| 申请公布号 | CN1080455C | 申请公布日期 | 2002.03.06 |
| 申请号 | CN96112720.1 | 申请日期 | 1996.10.04 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 藤井觉;高山良一;鎌田健;友泽淳 |
| 分类号 | H01L21/3105 | 主分类号 | H01L21/3105 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 姜郛厚;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种电介质元件的制造方法，包括利用由氢氟酸和氧化剂构成的腐蚀剂，将在基板上直接形成的或通过金属电极膜形成的电介质膜蚀刻成规定的图形的工序，其特征在于：还具有上述蚀刻工序以后，通过利用含有还原剂的第1处理液、接着利用含有酸的第2处理液分别进行处理，将蚀刻残渣除去的工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||