选择性半球形硅晶粒制作工艺

摘要

一种选择性半球形硅晶粒制作工艺,适用于一基底,此基底上形成有一多晶硅电容器下电极,而此多晶硅电容器下电极上形成有一原生氧化层。此制作工艺的步骤如下:首先,以一卤化物为反应气体,对此基底进行一等离子反应,使得多晶硅电容器下电极上的原生氧化层反应生成卤化硅,并于低压之下将此卤化硅除去。接着,在此多晶硅电容器下电极上选择性地形成半球形硅晶粒。

主权项

1.一种选择性半球形硅晶粒的制作方法，适用于一基底，该基底上形成有一多晶硅电容器下电极，且该多晶硅电容器下电极上形成有一原生氧化层，该制作方法包括下列步骤：以一卤化物为反应气体对该基底进行一等离子反应，使得该原生氧化层反应生成一卤化硅，并于一低压之下将该卤化硅除去；以及在该多晶硅电容器下电极上选择性形成半球形硅晶粒。