| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 노광 장치에 관한 것으로 스테이지 하단부에 검출용 광원과, 스테이지 상에 BLC용 마크가 그려져 있는 마크 유니트를 장착하여 정렬 작업시에 오프 엑시스 얼라인먼트(Off-Axis Allignment) 방식을 사용하는 경우에 수반되는 BLC 작업을 빠르고 용이하게 수행할 수 있도록 한 반도체 노광 장치에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명은 패턴이 형성된 마스크와, 마스크 상부에 설치되며 노광용 광선을 공급하는 제 1 광원과, 제 1 광원으로부터 발생된 빛을 투과하여 웨이퍼로 조사하는 렌즈와, BLC용 마크가 그려져 있고 빛을 투과하는 다수개의 마크 유니트와, 마크 유니트가 장착되고 웨이퍼가 안치되는 스테이지와, 스테이지 하단에서 검출용 광선을 발생시키는 제 2광원과, 제 2광원으로부터 발생된 광선이 상기 마크 유니트의 마크를 통과하게 될 때 생기는 인텐시티(Intensity) 차이를 검출하여 위치를 계측 및 보정하는 오프 엑시스 스코프를 포함하여 구성되는 것이 특징이다.</p> |
