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<p>본 발명은 게이트 또는 소스/드레인 전극의 패턴 제조 방법에 관한 것으로서, 게이트 또는 소스/드레인 전극이 이중막인 경우 제 2 금속막인 하부 금속막에 대한 식각액으로 Ce(NH)(NO)과 HClO, 첨가제(additive)로써 CHCOOH를 사용하여, 하부 금속막에 대한 식각비를 향상시킬 수 있고 상부 금속막으로 사용된 Al-Nd 합금막을 식각한 후 포토레지스트를 스트립한 후 하부 금속막을 식각할 수 있으므로 공정의 단순화를 달성할 수 있는 게이트 또는 소스/드레인 전극의 패턴 제조 방법을 제공한다.</p> |
