发明名称 晶片的抛光方法及装置
摘要 用一个修整盘来修整抛光垫;修整盘的温度在化学—机械抛光(CMP)过程中是受到控制的。修整时抛光垫的温度保持不变,因此可以实现均衡的化学—机械抛光。$#!
申请公布号 CN1080166C 申请公布日期 2002.03.06
申请号 CN97103428.1 申请日期 1997.02.28
申请人 冲电气工业株式会社 发明人 下川公明
分类号 B24B39/06 主分类号 B24B39/06
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 张志醒;叶恺东
主权项 1.一种抛光晶片的方法,包括以下步骤:将晶片压靠在一个抛光轮的抛光部分上,并使晶片与抛光轮之间产生相对运动以便抛光晶片的表面;控制一个修整工具使之具有预定的温度;和用该修整工具对抛光部分进地修整。
地址 日本东京