高速去胶法

摘要

在铝腐蚀后，将晶片（11）在真空中，由铝腐蚀室传输，不接受大气地送入去胶室（15）。输送晶片（11）后，由阀门（30a）将200sccm的CH₃OH气输入，并将压力调节到1．2Torr；接着，施加450mA的微波流，由此产生等离子体；由CH₃OH等离子体的顺流系统处理晶片（11)。关闭阀门（30a)，停止供给CH₃OH气；接着，打开阀门（30b），输入400sccm氧气；在1．2Torr压力下，施加450mA的微波流，由此产生等离子体;由氧气离子体顺流处理去掉并消除晶片（11）上的光刻胶。由这些工艺过程，能很好地防止腐蚀和去除光刻胶。$#!

主权项

1.一种去胶方法，所述方法是在半导体器件晶片上形成铝或铝合金系布线图形的腐蚀后的去胶方法，它包括以下的步骤：用一个分子中至少含有H基和OH基之一的第一单一材料气体，在处理室中产生第一等离子体，以防止布线图形的腐蚀；接着，用含氧气的第二单一材料气体，在处理室中产生第二等离子体。