| 发明名称 | 垂直叠式现场可编程非易失存储器和制造方法 | ||
| 摘要 | 在此公开了一种极高密度现场可编程存储器。在衬底上利用几层(51a1,51a2,51b2)垂直地形成一个阵列,每个层(51a1)包括垂直构成的存储器单元。一个N层阵列中的单元可以利用N+1个掩膜步骤加接触所需要的掩膜步骤形成。最大限度利用自对准技术使光刻缺陷最小。在一个实施例中,外围电路形成在硅衬底上并且在该衬底上构成一个N层阵列。 | ||
| 申请公布号 | CN1339159A | 申请公布日期 | 2002.03.06 |
| 申请号 | CN99815543.8 | 申请日期 | 1999.04.29 |
| 申请人 | 矩阵半导体公司 | 发明人 | M·G·约翰逊;T·H·李;V·苏布拉马尼安;P·M·法姆瓦德;J·M·克莱维斯 |
| 分类号 | G11C13/00;G11C11/22;G11C17/00 | 主分类号 | G11C13/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王勇;梁永 |
| 主权项 | 1.一种存储器单元，包括：一个引导元件，用于提供在一个方向上流过引导元件的增强电流；一个状态改变元件用于保持被编程的状态，与引导元件串联连接以便引导元件和状态改变元件提供两个端子单元；该引导元件和状态改变元件相互垂直对准。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||