发明名称 Method for manufacturing capacitor
摘要 <p>본 발명은 하부 전극 분리 절연막을 식각 종말점으로 귀금속층을 식각하여 수직한 패턴(Pattern)을 갖는 귀금속 하부 전극을 형성하므로 고유전막의 캐패시터를 형성하기 위한 캐패시터의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 캐패시터의 제조 방법은 하부 전극 분리막을 식각 종말점으로 귀금속층을 식각하여 수직한 패턴을 갖는 귀금속 하부 전극을 형성하므로 고유전막의 캐패시터를 형성하여 소자의 집적도를 향상시키는 특징이 있다.</p>
申请公布号 KR100326810(B1) 申请公布日期 2002.03.04
申请号 KR19990068038 申请日期 1999.12.31
申请人 null, null 发明人 장수익
分类号 H01L27/10 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人
主权项
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