| 摘要 |
<p>노멀 셀 어레이 및 용장 셀 어레이를 포함하는 블럭(101-104)을 구비한 반도체 장치가 개시된다. R/N 스위치오버 설정 회로(140)는, 한 실시예에 있어서, 직렬로 배열된 통상은 도통 상태인 복수의 트랜지스터를 구비하고 있다. 용장 판정 회로(120)는 어드레스를 수신하여 용장 셀 어레이의 사용 또는 미사용을 결정한다. 용장 셀 어레이가 사용될 때, 용장 판정 회로는 활성 YPR 신호 뿐만 아니라 불량 셀 어레이의 현재 컬럼-방향 위치를 출력한다. 용장 위치 디코더(130)를 통해 스위치오버 설정 회로(140)에 위치 정보가 인가된다. 스위치오버 설정 회로(150)는, 수신된 컬럼 위치에 기초하여 스위치 신호 DSW를 발생하고 이 신호를 R/N 스위치 회로(150)에 출력한다. 스위치 회로(150)는, 수신된 신호에 기초하여, 입출력부의 I/O 라인들을 스위칭하고 선택된 노멀 셀 어레이 및 용장 셀 어레이에 접속시킴으로써, 불량 셀 어레이를 바이패스시킨다.</p> |
