| 主权项 |
1.一种多晶矽薄膜电晶体之底切结构的制作方法,包括下列步骤:(a)提供一基板,其表面上包含有一多晶矽层以及一闸极绝缘层,其中该闸极绝缘层系覆盖住该多晶矽层之一预定区域;(b)于该基板表面上涂布一第一光阻层,并使该第一光阻层之表面与该闸极绝缘层之表面切齐;(c)于该第一光阻层与该闸极绝缘层之表面上形成一闸极层以及一具有闸极预定图案之第二光阻层;(d)将未被该第二光阻层覆盖之该闸极层去除,以使残留之该闸极层覆盖住该闸极绝缘层以及该闸极绝缘层周围之部份该第一光阻层;以及(e)将该第二光阻层与该第一光阻层去除。2.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该步骤(b)系利用一回蚀刻制程将该第一光阻层之表面与该闸极绝缘层之表面切齐。3.如申请专利范围第2项所述之制作方法,其中该回蚀刻制程系使用氧气作为主要蚀刻气体。4.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该步骤(e)系使该闸极层之边缘处凸出于该闸极绝缘层,以形成一空穴。5.如申请专利范围第1项所述之制作方法,另包含有步骤(f):进行一重度离子掺杂制程,使位于该闸极层周围之该多晶矽层形成一N+掺杂区。6.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该基板系为一玻璃基板。7.一种多晶矽簿膜电晶体之底切结构的制作方法,包括下列步骤:(a)提供一基板,其表面上包含有一多晶矽层以及一闸极绝缘层,其中该闸极绝缘层系覆盖住该多晶矽层之一预定区域;(b)进行一轻度离子掺杂制程,使该多晶矽层之曝露区域形成一N-掺杂区;(c)于该基板表面上涂布一第一光阻层,并使该第一光阻层之表面与该闸极绝缘层之表面切齐;(d)于该第一光阻层与该闸极绝缘层之表面上形成一闸极层以及一具有闸极预定图案之第二光阻层;(e)将未被该第二光阻层覆盖之该闸极层去除,以使残留之该闸极层覆盖住该闸极绝缘层以及该闸极绝缘层周围之部份该第一光阻层;(f)将该第二光阻层与该第一光阻层去除;以及(g)进行一重度离子掺杂制程,使位于该闸极层周围之该N-掺杂区形成一N+掺杂区。8.如申请专利范围第7项所述之制作方法,其中该步骤(c)系利用一回蚀刻制程将该第一光阻层之表面与该闸极绝缘层之表面切齐。9.如申请专利范围第8项所述之制作方法,其中该回蚀刻制程系使用氧气作为主要蚀刻气体。10.如申请专利范围第7项所述之制作方法,其中该步骤(f)系使该闸极层之边缘处凸出于该闸极绝缘层,以形成一空穴。11.如申请专利范围第7项所述之制作方法,其中该基板系为一玻璃基板。图式简单说明:第1图显示习知多晶矽TFT之LDD结构的剖面示意图。第2图显示习知多晶矽TFT之底切结构的剖面示意图。第3A至3F图显示本发明第一实施例之多晶矽TFT之底切结构的制作方法。第4A至4F图显示本发明第二实施例之多晶矽TFT之底切结构的制作方法。 |
