| 主权项 |
1.一种深沟渠式电容器的制造方法,包括:提供一基底;形成一深沟渠于该基底中;形成一第一介电层覆盖该基底与该深沟渠;形成复数个各自独立之半球状多晶矽于该第一介电层的表面;形成一第一光阻层覆盖该些半球状多晶矽与该第一介电层,并填满该深沟渠;进行一研磨制程,以将形于该基底表面之该第一光阻层、该些半球状多晶矽与该第一介电层的部分去除;去除该第一光阻层填于该深沟渠中之部分;进行一微影制程,使在该基底的表面形成一图案化的第二光阻层,由于定义该图案化的第二光阻层所使用的光罩与定义该深沟渠所使用的光罩是相同的,该深沟渠因此不被该图案化的第二光阻层所覆盖而可以暴露出来;以该些半球状多晶矽为蚀刻罩幕,对位于该深沟渠底部之该第一介电层的部分进行一非等向性蚀刻制程,使位于该深沟渠底部之该第一介电层,定义出与该些半球状多晶矽形状相仿的一第二介电层;进行一多晶矽蚀刻制程,将该些半球状多晶矽去除,同时,以该第二介电层为蚀刻罩幕,在该深沟渠底部之该基底中,形成复数个鳍状结构;去除该图案化的第二光阻层;去除该第一介电层与该第二介电层;形成一第一导电层覆盖该基底、该深沟渠与该些鳍状结构,以做为电容器之下电极;形成一第三介电层覆盖该第一导电层;以及形成一第二导电层覆盖该第三介电层,以做为电容器之上电极。2.如申请专利范围第1项所述之深沟渠式电容器的制造方法,其中该深沟渠的深度约略为4至6微米。3.如申请专利范围第1项所述之深沟渠式电容器的制造方法,其中该第一介电层所使用的材料包括氧化矽。4.如申请专利范围第1项所述之深沟渠式电容器的制造方法,其中该些半球状多晶矽的尺寸大小约略为300至1000埃,其彼此间的间距约略为300至2000埃。5.如申请专利范围第1项所述之深沟渠式电容器的制造方法,其中该研磨制程所使用的方法包括化学机械研磨法。6.如申请专利范围第1项所述之深沟渠式电容器的制造方法,其中该非等向性蚀刻制程所使用的方法包括反应性离子蚀刻法。7.一种深沟渠式电容器的结构,包括:一基底;一深沟渠,形成于该基底中;复数个鳍状结构,形成于该深沟渠底部之该基底中;一第一导电层,形成于该基底、该深沟渠与该些鳍状结构的表面,以做为电容器之下电极;一介电层,形成于该第一导电层的表面;以及一第二导电层,形成于该介电层的表面,以做为电容器之上电极。8.如申请专利范围第7项所述之深沟渠式电容器的结构,其中该深沟渠的深度约略为4至6微米。9.如申请专利范围第7项所述之深沟渠式电容器的结构,其中该些鳍状结构的尺寸大小约略为300至1000埃,其彼此间的间距约略为300至2000埃。图式简单说明:第1A至1F图系绘示依据本发明之一种深沟渠式电容器之制造流程结构剖面示意图。 |
