| 主权项 |
1.一种放置在半导体元件和测试板之间的接触器,并以电性连接该半导体元件和测试板,该接触器包含:一绝缘基座;和一由导电层所形成的接触电极,其系设置在该绝缘层上,该接触电极包含一个接触该半导体元件的端子的第一接触片、一个接触该测试板的电极的第二接触片以及一个电性连接该第一接触片和该第二接触片的连接部份。2.如申请专利范围第1项之接触器,其进一步包含一个位置在该绝缘基座形成该接触电极的地点的开口,该第一接触片或该第二接触片经由该开口自该绝缘基座的一表面延伸至其另一表面。3.如申请专利范围第1项之接触器,其中该第一接触片和该第二接触片是分开放置,并且该连接部份以具有预定形状的相互连接图案电性连接该第一接触片和该第二接触片。4.如申请专利范围第1项之接触器,其中每个该第一接触片和该第二接触片被放置得使该纵向方向朝该绝缘基座中心的半径方向对齐。5.一种制造接触器的方法,该接触器被放置在半导体元件和测试板之间并以电性连接该半导体元件和该测试板,该方法包含下述步骤:在绝缘基座上形成导电层;处理该导电层形成接触电极,并包含有一个接触该半导体元件的端子的第一接触片、一个接触该测试板的电极的第二接触片以及一个电性连接该第一接触片和该第二接触片的连接部份;将该第一接触片朝该绝缘基座的第一表面方向弯曲预定的角度,并将该第二接触片朝与该第一表面相反的该绝缘基座第二表面方向弯曲预定的角度。6.如申请专利范围第5项之方法,其中形成导电层的步骤包括在该绝缘基座上形成导电物质构成的膜物质的步骤;和处理步骤,其包括将形成在绝缘基座上导电层部份移除,而形成该第一接触片、该第二接触片和该连接部份的步骤。7.如申请专利范围第5项之方法,其中形成导电层的步骤包括将导电物质沉积在该绝缘基座上,而形成该导电层的步骤;和处理步骤,其包括将沉积在绝缘基座上导电层部份移除,而形成该第一接触片、该第二接触片和该连接部份的步骤。8.如申请专利范围第5项之方法,进一步包含在绝缘基座形成该第一接触电极和该第二接触电极的位置形成一个开口的步骤。9.一种制造接触器之方法,该接触器被放置在半导体元件和测试板之间并以电性连接该半导体元件和测试板,该方法包含下述的步骤:处理绝缘基座的部份形成一个接触该半导体元件的端子的第一接触片和一个接触该测试板的电极的第二接触片;在该第一接触片和该第二接触片上形成导电层,并将该导电层的部份形成一个电性连接该第一接触片和该第二接触片的连接部份;和将该第一接触片朝该绝缘基座的第一表面方向弯曲预定的角度,并将该第二接触片朝与该第一表面相反的该绝缘基座第二表面方向弯曲预定的角度。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该处理步骤包括在该绝缘基座上形成开口,因而形成该第一接触片和该第二接触片的步骤。11.如申请专利范围第5项之方法,其中该第一接触片或该第二接触片中至少一者是屈曲面或弯曲面;和该方法进一步包含下述步骤:将该第一接触片或该第二接触片在该连接部份和该第一接触片或该第二接触片接和的地点,朝该绝缘基座反方向弯曲预定的角度。12.如申请专利范围第5项之方法,进一步包含下述步骤:在该导电层的表面上形成至少一层表面层,因而改变该接触电极的特性。13.如申请专利范围第5项之方法,进一步包含下述步骤:在该连接部份和每个第一接触片和该第二接触片接合位置的地方形成一补强物质。图式简单说明:第1图为使用异方性导电弹性体的传统接触器一部份之横截面图;第2图为使用弹性针的传统半导体一部份之侧视图;第3图为如本发明第一实施例的接触器一部份之横截面图;第4图为第3图中所示的接触电极之平面图;第5图为第3图中所示的接触电极之横截面图;第6图为说明第5图中所示的接触电极的形成步骤之图式;第7图为用于接触器弯曲程序中的弯曲模板之横截面图;第8图为有最上层的接触电极之横截面图;第9A图为有补强物质的接触电极之平面图;第9B图为有补强物质的接触电极之横截面图;第10图为第3图中所示的接触电极的变化之平面图;第11图为第3图中所示的接触电极的另一种变化之平面图;第12图为含有形成在测试板侧面的接触电极的结构之横截面图;第13图为形成在如本发明第二实施例的接触器之上的接触电极之横截面图;第14图为形成在如本发明第三实施例的接触器之上的接触电极之平面图;第15图为第14图中所示的接触电极之横截面图;第16图为第14图中所示的接触电极被放置在大型积体电路和测试板之间时之横截面图;第17图为第14图中所示的接触电极的变化之横截面图;第18图为形成在如本发明第四实施例的接触器之上的接触电极之平面图;第19图为说明第18图中所示的接触电极形成步骤之图式;第20图为形成在绝缘基座上的开口之平面图;第21图为说明第18图中所示的接触电极形成步骤之图式;第22图为说明如本发明第五实施例的接触器之图式。第23图为第22图中所示的接触器的变化之图式。第24图为第22图中所示的接触器的另一种变化之图。第25图为如本发明第六实施例的接触器一部份之横截面图;第26图为第25图中所示的接触器之平面图;第27图为第25图中所示的接触器之横截面图;第28图为形成在如本发明第七实施例的接触器之上的接触电极之平面图;第29图为第28图中所示的接触电极之侧视图;第30图为第28图中所示的接触电极之延伸部份的形状范例之平面图;第31图为未弯曲前的接触电极之平面图,该接触电极是形成于如本发明第八实施例的接触器之上;第32图为形成于如本发明第八实施例的接触器之上的接触电极之正视图;第33图为第32图中所示的接触电极之侧视图;第34图为第32图中所示的接触电极的变化之正视图;第35图为第32图中所示的接触电极的变化之正视图;第36图为大型积体电路侧接触片由延伸部份弯曲小于90度的预定角度(但并非直角)的范例之图式;第37图为形成在如本发明第九实施例的接触器之上的接触电极之平面图;第38图为第37图中所示的接触电极之侧视图;第39图为说明如本发明第十实施例的接触器之图式;第40图为形成在如本发明第十一实施例的接触器上接触电极排列方式之图式;第41图为说明第40图中接触电极排列方式的效应之图式;第42图为如本发明第十二实施例的接触器的部份之横截面图; |
