发明名称 半导体封装用锡铅合金球制造方法
摘要 一种「半导体封装用锡铅合金球制造方法」,系包括以下步骤:a.依据所要生产锡铅合金球之尺寸与成份,而选择相同成份对与直径之线材:b.将上述线材裁切成所要生产球体重量之颗粒;c.将上述颗粒分散掉入高温液体中,使颗粒在高温液体上层时达到软化点,以内聚形成所要生产之球体,进而球体于下沈过程中逐渐降温;d.将上述降温中球体进行常温定型;e.将已定型之球体进行清洗; f.将已清洗之球体依真圆度、直径公差进行筛选;g.锡铅合金球成品包装,达到球体规格尺寸一致化,提高真圆度与良品率,并且球体表面光滑,无刮伤痕迹,耐氧化。
申请公布号 TW478126 申请公布日期 2002.03.01
申请号 TW089123163 申请日期 2000.11.03
申请人 陈志亨 发明人 陈志亨
分类号 H01L23/488 主分类号 H01L23/488
代理机构 代理人
主权项 1.一种「半导体封装用锡铅合金球制造方法」,系包括以下步骤:a.依据所要生产锡铅合金球之尺寸与成份,而选择相同成份与直径之线材;b.将上述线材裁切成所要生产球体重量之颗粒;c.将上述颗粒分散掉入高温液体中,使颗粒在高温液体上层时达到软化点,以内聚形成所要生产之球体,进而球体于下沈过程中逐渐降温;d.将上降温中球体进行常温定型;e.将已定型之球体进行清洗;f.将已清洗之球体依真圆度、直径公差进行筛选;g.锡铅合金球成品包装。2.如申请专利范围第1项所述之「半导体封装用锡铅合金球制造方法」,其中,在d步骤中,球体于液体中进行常温定型。3.如申请专利范围第1项所述之「半导体封装用锡铅合金球制造方法」,其中,该球体在f步骤筛选后,可经由静电消除器以消除静电。4.如申请专利范围第1项所述之「半导体封装用锡铅合金球制造方法」,其中,在g步骤中,该等锡铅合金球经精密天平秤量后,在氮气环境下进行装瓶封装。图式简单说明:第1图系传统锡铅合金球制造流程之方块图。第2图系本发明实施例锡铅合金球制造流程之方块图。第3图系本发明实施例线材裁切成颗料之放大图。第4图系第三图颗料成开明球体之示意图。第5图系第四图球体常温定型之示意图。第6图系本发明另一实施例锡铅合金球制造流程之方块图。第7图系本发明又一实施例锡铅合金球制造流程之方块图。
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