| 主权项 |
1.一种半导体雷射装置,包括:一复合半导体基体;一下部护面层;一活性层;一上部护面层及一接触层被个别地形成在复合半导体基体上,其中,上部护面层及接触层之一上部部份,被形成为具有一山脉图案之耸立台地结构部份;及一电流阻隔层,具有穿透电流阻隔层且延伸朝向复合半导体基体之一坑状凹处,耸立台地结构部份之二侧被以电流阻隔层埋置,且除了穿透电流阻隔层之外的该凹处之一部份,系以一绝缘膜或一具有高抗蚀性之复合半导体层所覆盖或埋置。2.如申请专利范围第1项之半导体雷射装置,其中,绝缘膜系由至少任一SiO2膜、Al2O3膜、及SiN膜所制成。3.如申请专利范围第1项之半导体雷射装置,其中,绝缘膜系由以硼掺杂或离子内植之半绝缘材料所制成。4.如申请专利范围第1项之半导体雷射装置,其中,具有高抗蚀性之复合半导体层系由具有低载体密度之一GaAs层所制成。5.一种制造一半导体雷射装置之方法,该半导体雷射装置在一复合半导体基体上具有至少一下部护面层、一活性层、一上部护面层、及一接触层;上部护面层及接触层之一上部部份,被形成为具有一山脉图案之耸立台地结构部份,且耸立台地结构部份之二侧系以一电流阻隔层所埋置,该方法包括下列步骤:经由外延地在一复合半导体基体上生成一下部护面层、一活性层、一上部护面层、及一接触层于其上,以此顺序形成一堆叠结构,形成一绝缘膜在包含穿透电流阻隔层且延伸朝向复合半导体基体之坑状凹处的壁平面之基体的全体表面上,形成一光阻膜在基体的全体表面上,模制该光阻膜,以形成一抗蚀膜在绝缘膜上,以及以光阻膜填满坑状凹处,使用抗蚀遮罩为一蚀刻遮罩来蚀刻绝缘膜,以形成一绝缘膜遮罩,且然后,使用绝缘膜遮罩为一蚀刻遮罩来蚀刻接触层与上部护面层,以形成具有一山脉图案之耸立台地结构部份,使用绝缘膜遮罩为一遮罩,选择性地生成一电流阻隔层,因而埋置了耸立台地结构部份之二侧,及移除绝缘膜遮罩以露出接触层,且然后,形成一电极层在基体之表面上,包含形成在接触层上。6.一种制造一边缘放射型半导体雷射装置之方法,半导体雷射装置在一复合半导体基体上具有至少一下部护面层、一活性层、一上部护面层、及一接触层;上部护面层及接触层之一上部部份,被形成为一具有山脉图案之耸立台地结构部份,且耸立台地结构部份之二侧系以一电流阻隔层所埋置,该方法包括下列步骤:经由外延地在一复合半导体基体上生成一下部护面层、一活性层、一上部护面层、及一接触层于其上,以此顺序形成一堆叠结构,蚀刻接触层与上部护面层,以形成具有一山脉图案之耸立台地结构部份,使用一绝缘膜遮罩选择性地生成一电流阻隔层,因而埋置耸立台地结构部份之二侧,移除绝缘膜遮罩以露出接触层,且然后,形成一电极层在基体之表面上,形成一绝缘膜在包含穿透电流阻隔层且延伸朝向复合半导体基体之坑状凹处的壁平面之基体的全体表面上,且然后,自除了坑状凹处之壁平面以外的一区域移除绝缘膜,及在基体之表面上,包含接触层之表面上,形成一电极层。7.一种制造一边缘放射型半导体雷射装置之方法,半导体雷射装置在一复合半导体基体上具有至少一下部覆面层、一活性层、一上部护面层、及一接触层;上部护面层及接触层之一上部部份,被形成为一具有山脉图案之耸立台地结构部份,且耸立台地结构部份之二侧系以一电流阻隔层所埋置,该方法包括下列步骤:经由外延地在一复合半导体基体上生成一下部护面层、一活性层、一上部护面层、及一接触层于其上,以此顺序形成一堆叠结构,蚀刻接触层与上部护面层,以形成具有一山脉图案之耸立台地结构部份,使用一绝缘膜遮罩选择性地生成一具有一低载体密度之电流阻隔层,以因而埋置耸立台地结构部份之二侧及一延伸朝向复合半导体基体之坑状凹处,且然后,移除绝缘膜遮罩以露出接触层,及在基体之表面上,包含接触层之表面上,形成一电极层。8.一种制造一边缘放射型半导体雷射装置之方法,半导体雷射装置在一复合半导体基体上具有至少一下部覆面层、一活性层、一上部护面层、及一接触层;上部护面层及接触层之一上部部份,被形成为一具有山脉图案之耸立台地结构部份,且耸立台地结构部份之二侧系以一电流阻隔层所埋置,该方法包括下列步骤:经由外延地在一复合半导体基体上生成一下部护面层、一活性层、一上部护面层、及一接触层于其上,以此顺序形成一堆叠结构,蚀刻接触层与上部护面层,以形成具有一山脉图案之耸立台地结构部份,使用一绝缘膜遮罩选择性地生成一电流阻隔层,以因而埋置耸立台地结构部份置之二侧,且然后,移除绝缘膜遮罩以露出接触层,在接触层上形成一抗蚀模板,且执行离子内植至基体的全体表面,因而将穿透电流阻隔层且延伸朝向复合半导体基体之坑状凹处的壁平面之最外部表面,转换成为具有一高抗蚀性之层,及移除抗蚀模板,以在基体之表面上,包含接触层之表面上,无须退火而形成一电极层。图式简单说明:图1a至1c均为剖面图,显示相对应于依据范例1之用以制造一半导体雷射装置的个别加工步骤之层结构;图1d至1f均为剖面图,系连续于图1c而显示相对应于依据范例1之用以制造一半导体雷射装置的个别加工步骤之层结构;图2a至2c均为剖面图,显示相对应于依据范例2之用以制造一半导体雷射装置的个别加工步骤之层结构;图2d及2e均为剖面图,系连续于图2c而显示相对应于依据范例2之用以制造一半导体雷射装置的个别加工步骤之层结构;图3a至3c均为剖面图,显示相对应于依据范例3之用以制造一半导体雷射装置的个别加工步骤之层结构;图3d至3f均为剖面图,系连续于图3c而显示相对应于依据范例3之用以制造一半导体雷射装置的个别加工步骤之层结构。图4a至4c均为剖面图,显示相对应于依据范例4之用以制造一半导体雷射装置的个别加工步骤之层结构;图4d系一剖面图,连续于图4c而显示相对应于依据例4之用以制造一半导体雷射装置的个别加工步骤之层结构;图5系一显示习知可见光半导体雷射装置之一基体的剖面图;及图6系一基体之剖面图,用以解释坑状凹处。 |
