| 主权项 |
1.一种半导体装置,具有包含单元电晶体形成区域(1000)和配线区域(2000)之单元电晶体特性测定专用元件,具备有连接构造用来电连接设在上述单元电晶体形成区域(1000)之圆筒型储存节点电极(12)和上述之配线区域(2000),其特征是:上述之单元电晶体形成区域(1000)和上述之配线区域(2000)被配置在平面看成为不同之区域;和具有沟部(11),被设置成从上述之单元电晶体形成区域(1000)延伸到上述之配线区域(2000);和沟型引出电极(12A),被设置成沿着上述沟部(11)之侧壁。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述之连接构造包含有:延长垫电极部(12B),在上述之沟部之上方,从上述之沟型引出电极(12A)延伸;和接触插头(7),贯穿上述之延长垫电极部(12B),用来连接设在上述沟型引出电极(12A)之上层之上述配线区域(8)和上述延长垫电极部(12B)。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述之连接构造包含有:导电层(101B,9),被配置在上述沟型引出电极(12A)之下层;第1接触插头(4),用来连接上述之沟型引出电极(12A)和上述之导电层(101B,9);配线层(102),成为上述导电层(101B,9)的之上层,被设在上述沟型引出电极(12A)之下层;第2接触插头(10),用来连接上述之配线层(102)和上述之导电层(101B,9);和第3接触插头,用来连接上述之配线层(102)和上述之配线区域(2000)。4.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中上述之导电层(101B,9)为闸极电极层(101B)或定位垫(9)。5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述之连接构造具有:配线层(102),被设在上述之沟型引出电极(12A)之下层;第1接触插头(4),用来连接上述之沟型引出电极(12A)和上述之配线层(102);和第2接触插头(7),用来连接上述之配线层(102)和上述之配线区域(8)。6.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述之连接构造具有:配线层(102),被设在上述沟型引出电极(12A)之下层,其下端部直接连接到上述之沟型引出电极(12A);和接触插头(7),用来连接上述之配线层(102)和上述之配线区域(8)7.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述之配线区域是铝配线层。8.一种半导体装置,具有包含单元电晶体形成区域(1000)和配线区域(2000)之单元电晶体特性测定专用元件,具备有连接构造用来电连接设在上述单元电晶体形成区域(1000)之圆筒型储存节点电极(12)和上述之配线区域(2000),其特征是:上述之单元电晶体形成区域(1000)和上述之配线区域(2000)被配置在平面看成为大致相同之区域;和上述之连接构造具有接触插头,用来连接上述之圆筒型储存电极(12)和上述之配线区域(2000)。9.如申请专利范围第8项之半导体装置,其中上述之配线区域(2000)为位元线配线层。10.一种半导体装置,具备有包含单元电晶体形成区域(1000)和配线区域之单元电晶体特性测定专用元件,其特征是上述之单元电晶体形成区域(1000)具备有:大致细长形状之活性区域(20);闸极电极(1),被设置在对上述活性区域(20)之长度方向平行之方向;位元线(2),在上述闸极电极(1)之上方沿着上述活性区域(20)之长度方向延伸,被设置成从平面看成为不与上述活性区域重叠之方式;定位垫(13A),被配置在配线区域之下方,用来与上述之活性区域连接;和接触插头(10),用来连接上述之定位垫(13A)和上述之位元线(2)。11.一种半导体装置,具备有包含单元电晶体形成区域(1000)和配线区域(2000)之单元电晶体特性测定专用元件,其特征是:上述之单元电晶体形成区域(1000)具备有:大致细长形状之活性区域(20);闸极电极(1),被设置在对上述活性区域(20)之长度方向正交之方向;和位元线(2),在上述闸极电极(1)之上方沿着上述活性区域(20)之长度方向延伸,被设置成从平面看成为不与上述之活性区域(20)重叠之方式;上述之配线区域(2000)具有接触插头(7,17),经由层间膜(16,18,6)被设在上述单元电晶体形成区域之上方,用来连接上述之配线区域(2000)和上述之活性区域(20)。12.如申请专利范围第11项之半导体装置,其中上述之接触插头具有2段构造。13.一种半导体装置之制造方法,其中之半导体装置具备有包含单元电晶体形成区域(1000)和配线区域(2000)之单元电晶体特性测定专用元件;其特征是所具备之工程包含有:形成具备有圆筒型储存节点电极(12)之上述单元电晶体形成区域(1000);形成连接到上述圆筒型储存节点电极(12)之接触插头(7);和形成连接到上述接触插头(7)之配线区域(2000)。14.一种半导体装置之制造方法,其中之半导体装置具备有包含单元电晶体形成区域(1000)和配线区域(2000)之单元电晶体特性测定专用元件;其特征是所具备之工程包含有:形成上述之单元电晶体形成区域(1000),具备有:大致细长形状之活性区域(20);闸极电极(1),被设置在对上述活性区域(20)之长度方向正交之方向;和位元线(2),在上述闸极电极(1)之上方沿着上述活性区域(20)之长度方向延伸,被设置成从平面看成为不与上述之活性区域(20)重叠之方式;形成覆盖在上述之单元电晶体形成区域之层间膜(16,18,6);形成埋入到上述层间膜(16,18,6),连接到上述活性区域(20)之第1接触插头(17)和第2接触插头(7);和在上述层间膜(16,18,6)之上面,形成连接到上述第2接触插头(7)之上述配线区域(2000)。图式简单说明:图1是概略图,用来表示实施形态1~5中之具有从储存节点电极引出之配线构造之单元电晶体TEG之平面构造。图2表示依照图1中之X箭视线之剖面构造。图3表示依照图1中之X1箭视线之剖面构造。图4表示依照图1中之X2箭视线之剖面构造。图5表示依照图1中之X3箭视线之剖面构造。图6表示依照图1中之X4箭视线之剖面构造。图7表示依照图1中之X5箭视线之剖面构造。图8是概略图,用来表示实施形态7之单元电晶体TEG之平面构造。图9表示依照图8中之X8箭视线之剖面构造。图10是概略图,用来表示实施形态8之单元电晶体TEG之平面构造。图11是概略图,用来表示实施形态9之单元电晶体TEG之平面构造。图12表示依照图11中之X11箭视线之剖面构造。图13是第1工程剖面图,用来表示实施形态9之单元电晶体TEG之制造方法。图14是第2工程剖面图,用来表示实施形态9之单元电晶体TEG之制造方法。图15是第3工程剖面图,用来表示实施形态9之单元电晶体TEG之制造方法。图16是第4工程剖面图,用来表示实施形态9之单元电晶体TEG之制造方法。图17是概略图,用来表示实施形态10之单元电晶体TEG之平面构造。图18表示依照图17中之X17箭视线之剖面构造。图19是第1工程剖面图,用来表示实施形态10之单元电晶体TEG之制造方法。图20是第2工程剖面图,用来表示实施形态10之单元电晶体TEG之制造方法。图21是第3工程剖面图,用来表示实施形态10之单元电晶体TEG之制造方法。图22是第4工程剖面图,用来表示实施形态10之单元电晶体TEG之制造方法。图23是习知技术之单元电晶体TEG之剖面构造图。 |
