| 主权项 |
1.一种用以制造薄膜(1.40)的方法,其特征在于包含下列步骤:-将气体种类通过第一基材(10)的表面(12)以及第二基材(20)的表面(22),在基材上能够产生微室(11,21)界限,于每个基材中在微室与植入薄膜间产生一薄层(13,23),而在植入后产生的薄膜能够导致薄膜从其基材上分离;-将第一基材(10)组合至第二基材(20)上,藉此植入的表面(12,22)互相面对;-分别令薄层与其基材分离,此薄层(13.23)仍然组合在一起而提供该薄膜(1.40)。2.如申请专利范围第1项之制造薄膜之方法,其特征在于此等步骤系以下列顺序进行:-第一基材(10)和第二基材(20)的植入,-透过植入表面(12,22)将第一基材组合(10)于第二基材(20)上,以同时或连续方式分离每一薄层(13.23)。3.如申请专利范围第1项之制造薄膜之方法,其特征在于该等步骤系以下列顺序进行:-第一基材的植入,-将第一基材之植入表面组合至欲随后植入之第二基材的一表面,-令该薄层自第一基材上分离,该层仍然组合于第二基材上,-透过自第一基材分离的薄层植入第二基材,-令该薄层自第二基材上分离,该层仍然组合于第一基材之薄膜上,从而提供该薄膜。4.如申请专利范围第1项之制造薄膜之方法,其特征在于于植入之前提供一预备步骤,该预备步骤系由下列所构成:在一与欲于基材内形成之薄层所需的厚度相对应的深度下,在欲植入之基材中制成一包含物层,该包含物形成后续植入之气体物质的捕集体。5.如申请专利范围第1项之制造薄膜之方法,其特征在于在一单晶材料之基材中,该气体物质的平均植入深度是决定于相对于植入方向的单晶材料之晶体网络的排列。6.如申请专利范围第1项之制造薄膜之方法,其特征在于植入是透过第一基材和/或第二基材的一表面来进行,从而制成完全或部分的至少一电子和/或光电子和/或光学组成分和/或微系统。7.如申请专利范围第1项之制造薄膜之方法,其特征在于每一个薄层的分离是连续地完成,在薄层的第一个分离完成之后,完全或部分的至少一电子和/或光电子和/或光学组成分和/或微系统系在藉由此第一分离而暴露出之薄层上完成。8.如申请专利范围第1项之制造薄膜之方法,其特征在于该第一基材(10)与第二基材(20)之组合系使用一选自于藉由分子黏着的结合方法、藉由一黏着性基材之结合方法或使用一中间化合物等技术。9.如申请专利范围第1项之制造薄膜之方法,其特征在于该第一基材组合至第二基材之上系以插入中间层(42)完成。10.如申请专利范围第1项之制造薄膜之方法,其特征在于该薄膜(13,23)的分离是以热处理和/或机械力完成。11.如申请专利范围第10项之制造薄膜之方法,其特征在于该机械力包含张力和/或剪力和/或挠性力。12.如申请专利范围第10项之制造薄膜之方法,其特征在于分离步骤包含使用雷射光束将热能提供至该等微室。13.如申请专利范围第10项之制造薄膜之方法,其特征在于分离步骤包含使用超音波将机械能提供至该等微室。14.如申请专利范围第10项之制造薄膜之方法,其特征在于该分离涉及热处理的应用,该热处理是在经控制之压力下进行。15.如申请专利范围第1项之制造薄膜之方法,其特征在于从至少一个基材分离之后,此薄膜被固定于一最后或暂时的支撑物。16.一种薄膜结构,其特征在于包含由申请专利范围第1-15项中任一项之制造薄膜之方法所制得之薄膜以及一个携带该膜(1.40)的支撑物(2.3)。17.如申请专利范围第16项之薄膜结构,其特征在于该支撑物的材料是选自于半导体、塑胶材料、陶瓷材料以及透明的材料。18.如申请专利范围第16或17项之薄膜结构,其特征在于该等薄层中之一者是矽,而另一者是第III-V族半导体材料。19.如申请专利范围第16或17项之薄膜结构,其特征在于该膜(30)亦含有一位于两个薄层(41,43)之间的中间层(42)。20.如申请专利范围第19项之薄膜结构,其特征在于该两个薄层是Si,以及该中间层是SiO2.Si3N4或与数种材料和/或多重薄层所构成之组合。21.如申请专利范围第19项之薄膜结构,其特征在于该两个薄层是半导体材料,以及该中间材料是导体材料。22.如申请专利范围第21项之薄膜结构,其特征在于该中间层是钯。23.如申请专利范围第16项之薄膜结构,其特征在于该等薄膜中之一者是Si,另一者是Ge,该等薄层系经掺杂,以使得该结构形成一光电动势电池。图式简单说明:-第1图至第4图说明以本发明方法获得一自体-支撑膜的不同步骤,-第5图代表第一个结构,其包含一携带本发明之薄膜的支持物,-第6图代表第二个结构,其包含一携带本发明之薄膜的支持物。 |
