| 主权项 |
1.一种高功率应用中之多重半导体晶片(多重晶片)模组(10),包括至少一功率半导体晶片(30)与一控制半导体晶片(40),安置在电气导电散热座(20)上,其中该功率半导体晶片包括一绝缘体上矽(SOI)装置(34),而该控制半导体晶片包括一半导体装置(42),具有连接到接地电位的基底(46),而且该功率半导体晶片与控制半导体晶片都是直接安置在电气导电散热座上,而不需使用独立的电气绝缘层。2.如申请专利范围中第1项之多重晶片模组,其中该控制半导体晶片半导体装置包括双载子金氧半(BIMOS)装置。3.如申请专利范围中第1项之多重晶片模组,其中该控制半导体晶片半导体装置包括互补式金氧半(CMOS)装置。4.如申请专利范围中第1项之多重晶片模组,其中该控制半导体晶片半导体装置包括双载子装置。5.如申请专利范围中第1项之多重晶片模组,其中该电气导电散热座是连接到接地电位。6.如申请专利范围中第1项之多重晶片模组,其中该电气导电散热座包括金属。7.如申请专利范围中第6项之多重晶片模组,其中该金属包括铜。8.一种高功率应用中之多重半导体晶片(多重晶片)模组,包括复数个功率半导体晶片(30)与一控制半导体晶片(40),都是安置在电气导电散热座(20)上,而不需使用独立的电气绝缘层。图式简单说明:图1是依据本发明较佳实施例多重晶片模组的简化剖示图。 |
