| 主权项 |
1.一种热处理装置,包含有: 一反应容器,系于下端具有开口者; 一保持具,收容于该反应容器内,系用以保持衆多 被处理体者;及 一盖体,系用以封闭该反应容器之下端开口者; 而,该盖体与该保持具间设有一保温单元,该保温 单元具有一发热体单元,该发热体单元则系将金属 不纯物含量少之电阻发热体封入陶瓷中而成者。2 .如申请专利范围第1项之热处理装置,其中该发热 体单元系至少配置于该保温单元之上面部或侧面 部其中一处者。3.如申请专利范围第1项之热处理 装置,其中该保温单元系具有位于该发热体单元侧 之绝热片与位于绝热片下方之绝热体者。4.如申 请专利范围第1项之热处理装置,其中该保温单元 系具有多片以水平方向配置之绝热片者。5.如申 请专利范围第1项之热处理装置,其中该保温单元 系固定于该盖体者,该保持具则与旋转轴相连接, 该旋转轴则贯通该保温单元之贯通孔而与驱动部 相连接。6.如申请专利范围第5项之热处理装置,其 中该旋转轴系由一贯通该保温单元之贯通孔之第1 旋转轴及一经传达部而与第1旋转轴相连接且通达 至驱动部之第2旋转轴所构成者。7.如申请专利范 围第6项之热处理装置,其中该第2旋转轴系贯通盖 体者,而贯通盖体之该第2旋转轴之保温单元侧周 围则为由盖体延伸而成之盖体侧突起部与传达部 延伸而成之传达部侧突起部所构成之曲径所包围 。8.如申请专利范围第1项之热处理装置,其中该保 温单元之外周配置有多根支柱,而其中至少有一根 为管状体且贯通盖体,该管状体内则配置有用于发 热体单元之供电线。9.如申请专利范围第1项之热 处理装置,其中该电阻发热体系由高纯度碳原料所 构成者。10.如申请专利范围第1项之热处理装置, 其中该陶瓷系指石英。11.一种热处理方法,包含有 : 一被处理体保持程序,系使保持具进行保持多段之 被处理体者; 一保持具搬入程序,系将已保持被处理体之保持具 由下方搬入下端开口之反应容器内者;及 一成膜处理程序,系藉设于反应容器外方之加热器 而使反应容器内形成一加热环境,同时供入成膜气 体,以对被处理体进行成膜处理者; 而,在成膜处理程序中,保持具下方侧之温度则比 被处理体所处之环境温度高。12.如申请专利范围 第11项之热处理方法,其中该成膜处理程序中,该成 膜气体将由该保持具之下方侧朝上方侧供入,以使 该保持具下方侧之成膜气体通过区域之温度比被 处理体所处之环境温度高。13.如申请专利范围第 11项之热处理方法,其中该成膜处理程序中,该成膜 气体系由该保持具之上方侧朝下方侧供入者。14. 如申请专利范围第11项之热处理方法,其系可藉具 有该保持具下方所设之发热体单元之保温单元而 加热该保持具之下方侧,以使该保持具下方侧之温 度比被处理体所处之环境温度高者。图式简单说 明: 第1图系显示本发明之一实施例之纵切侧面图。 第2图系显示本发明之一实施例概观之立体图。 第3图系显示本发明之一实施例所使用之保温单元 之截面图。 第4图系显示本发明之一实施例所使用之保温单元 内所配置之发热体单元之平面图。 第5图系显示处理环境及发热体单元之温度变化之 特性图。 第6图系显示本发明其他实施例之整体构造之纵切 侧面图。 第7图系显示本发明所使用之保温单元之另一例之 侧面图。 第8图系显示本发明所使用之保温单元之他例之立 体图。 第9图系显示使用本发明之装置与习知装置后之膜 厚均一性之说明图。 第10图系显示本发明所使用之保温单元与以往之 保温单元之昇温速度测定结果之特性图。 第11图系显示本发明所使用之保温单元与以往之 保温单元之降温速度测定结果之特性图。 第12图系显示以往之纵型热处理装置之纵切侧面 图。 |
