| 主权项 |
1.一种半导体装置,包含: 一半导体基板,系具有发热区域;及 一散热器,用以使该发热区域之温度分布实质上均 等,其中该散热器系为该半导体基板,其具有之厚 度系与,自该发热区域中心部分至该发热区域边缘 部分之热浓度成反比。2.一种半导体装置,包含: 一半导体基板,系具有发热区域; 第一、第二、及第三个电极,形成于该半导体基板 上; 复数个第一传导性指状插头,在该发热区域中彼此 平行排列,每一该第一传导性指状插头系电连接于 其中一个该第一电极; 复数个第二传导性指状插头,在该发热区域中平行 于该第一传导性指状插头排列,每一该第二传导性 指状插头系电连接于其中一个该第二电极,而每一 该第二传导性指状插头系配置于个别的该第一传 导性指状插头之间; 复数个第三传导性指状插头,在该发热区域中平行 于该第一传导性指状插头排列,每一该第三传导性 指状插头系电连接于其中一个该第三电极,且每一 该第三传导性指状插头系配置于其中一该个别的 第一传导指状插头与其中一该个别的第二传导性 指状插头之间;及 一散热器,使该发热区域之温度分布实质上均等, 其中该散热器包括:复数个金属电极,形成于至少 一个该第一或第二传导性指状插头之上,每一金属 电极与该第一传导性指状插头平行,且该复数金属 电极之位于该发热区域中心部分之一第一金属电 极,其宽度系较该复数金属电极之位于该发热区域 边缘部分之一第二金属电极为宽。3.如申请专利 范围第2项之半导体装置,其中该第一金属电极之 宽度在其中心为最宽,并由中心向两末端方向逐渐 变窄。4.一种半导体装置,包含: 一半导体基板,系具有发热区域; 第一、第二、及第三个电极,形成于该半导体基板 上; 复数个第一传导性指状插头,在该发热区域中彼此 平行排列,每一该第一传导性指状插头系电连接于 其中一个该第一电极; 复数个第二传导性指状插头,在该发热区域中平行 于该第一传导性指状插头排列,每一该第二传导性 指状插头系电连接于其中一个该第二电极,而每一 该第二传导性指状插头系配置于个别的该第一传 导性指状插头之间; 复数个第三传导性指状插头,在该发热区域中平行 于该第一传导性指状插头排列,每一该第三传导性 指状插头系电连接于其中一该第三电极,且每一该 第三传导性指状插头系配置于其中一该个别的第 一传导性指状插头与其中一该个别的第二传导性 指状插头之间;及 一散热器,使该发热区域之温度分布实质上均等, 其中该散热器包括:复数个带状电极,其在该发热 区域中彼此平行,并垂直于该第一传导性指状插头 ,且电连接于该第一与第二传导性指状插头之一, 该带状电极之密度在该发热区域中心附近较密集, 而在该发热区域边缘部分较稀疏。5.如申请专利 范围第4项之半导体装置,其中该复数个带状电极 有相同的宽度。6.一种半导体装置,包含: 一半导体基板,系具有发热区域; 第一、第二、及第三个电极,形成于该半导体基板 上; 复数个第一传导性指状插头,在该发热区域中彼此 平行排列,每一该第一传导性指状插头系电连接于 其中一个该第一电极; 复数个第二传导性指状插头,在该发热区域中平行 于该第一传导性指状插头排列,每一该第二传导性 指状插头系电连接于其中一个该第二电极,而每一 该第二传导性指状插头系配置于个别的该第一传 导性指状插头之间; 复数个第三传导性指状插头,在该发热区域中平行 于该第一传导性指状插头排列,每一该第三传导性 指状插头系电连接于其中一个该第三电极,且每一 该第三传导性指状插头系配置于其中一该个别的 第一传导性指状插头与其中一该个别的第二传导 性指状插头之间;及 一散热器,使该发热区域之温度分布实质上均等, 其中该散热器为该半导体基板,其厚度从发热区域 之中心部分向该发热区域之边缘部分逐渐增加。7 .如申请专利范围第6项之半导体装置,其中该发热 区域之区域由一功率装置所覆盖。8.如申请专利 范围第7项之半导体装置,其中该功率装置为一功 率电晶体。9.如申请专利范围第8项之半导体装置, 其中该第一电极为源极电极,该第二电极为汲极电 极,而该第三电极为闸极电极。10.如申请专利范围 第9项之半导体装置,其中该散热器包括:复数个镀 金电极,形成于至少一个之该第一及第二传导性指 状插头上。11.如申请专利范围第10项之半导体装 置,其中该复数个金属电极之位于该发热区域中心 部分之一第一镀金电极,其宽度系较位于该发热区 域之边缘部分的一第二镀金电极为宽。12.一个功 率电晶体,包含: 一半导体基板,系具有发热区域; 源极电极、汲极电极和闸极电极,形成于该半导体 基板上; 复数个源极指状插头,在该发热区域中彼此成平行 排列,每一该源极指状插头系电连接于该源极电极 ,且分别位于该源极指状插头之间; 复数个闸极指状插头,在该发热区域中和该源极指 状插头成平行排列,每一该闸极指状插头系电连接 于该闸极电极,且分别位于该源极指状插头与汲极 指状插头之间;及 复数个镀金电极,形成于至少一个该源极与汲极指 状插头上,每一该镀金电极与该源极指状插头平行 排列,该复数个镀金电极位于该发热区域之中心部 分之第一镀金电极,其宽度较该复数个镀金电极位 于该发热区域之边缘部分之一第二镀金电极为宽 。13.如申请专利范围第12项之功率电晶体,更包括: 复数个带状镀金电极,在该发热区域中彼此平行排 列,且垂直于该源极指状插头,电连接于该源极及 汲极指状插头之一,并且该带状镀金电极之密度在 该发热区域中心部分附近较密集,在该发热区域边 缘部分较稀疏。14.如申请专利范围第13项之功率 电晶体,其中该半导体基板之厚度由该发热区域之 中心部分向该发热区域之边缘部分逐渐增加。15. 一种功率电晶体,包括: 一半导体基板,系具有发热区域; 源极电极、汲极电极和闸极电极,在该半导体基板 上形成; 复数个源极指状插头,在该发热区域中彼此成平行 排列,每一该源极指状插头系电连接于该源极电极 ; 复数个汲极指状插头,在该发热区域中和该源极指 状插头成平行排列,每一该汲极指状插头系电连接 于该汲极电极,且分别位于该源极指状插头之间; 并且 复数个闸极指状插头,在该发热区域中和该源极指 状插头成平行排列,每一该闸极指状插头系电连接 于该闸极电极,且分别位于该源极指状插头和汲极 指状插头之间;及 复数个带状镀金电极,在该发热区域中彼此成平行 排列,且垂直于该源极指状插头,电连接于该源极 及汲极指状插头之一,且该带状镀金电极之密度在 该发热区域中心部分附近较密集,在该发热区域边 缘部分较稀疏。16.一种功率电晶体,包括: 一半导体基板,具有发热区域; 源极电极、汲极电极和闸极电极,在该半导体基板 上形成; 复数个源极指状插头,在该发热区域中彼此成平行 排列,每一该源极指状插头系电连接于该源极电极 ; 复数个汲极指状插头,在该发热区域中和该源极指 状插头成平行排列,每一该汲极指状插头系电连接 于该汲极电极,且分别位于该源极指状插头之间; 及 复数个闸极指状插头,在该发热区域中和该源极指 状插头成平行排列,每一该闸极指状插头系电连接 于该闸极电极,且分别位于该源极指状插头和汲极 指状插头之间; 其中该半导体基板之厚度,是从该发热区域之中心 部分向该发热区域之边缘部分逐渐增加。17.一种 半导体装置,包括: 一半导体基板; 复数个传导性指状插头,形成在该半导体基板上并 彼此平行排列;及 复数个散热金属,形成在该复数个传导性指状插头 上,俾以使该半导体基板中之一发热区域的温度分 布实质上均等。18.如申请专利范围第17项之半导 体装置,其中每一个该复数个传导性指状插头系以 一第一方向延伸,每一个该复数个散热金属系以该 第一方向延伸,且每一个该复数个散热金属系具有 不同的宽度。19.如申请专利范围第17项之半导体 装置,其中每一个该复数个传导性指状插头系以一 第一方向延伸,而每一个该复数个散热金属系以与 该第一方向垂直之一第二方向延伸。图式简单说 明: 图1为本发明之第一实施例的半导体装置之俯视图 。 图2为图1中之半导体装置的一电晶体之剖视图。 图3表示热阻如何随图1之半导体装置之镀金电极( gold-plate electrode)的宽度而变化。 图4A与图4B表示具有相同宽度之镀金电极的半导体 装置中,发热区域的温度分布图。其中图4A与图4B 分别表示垂直与平行于指状插头的方向。 图5是一个流程图,用以说明如何设定如图1之半导 体装置之电极宽度。 图6A与图6B表示热阻在图1之半导体装置中之发热 区域的温度分布图,其中图6A与图6B分别表示垂直 与平行于指状插头的方向。 图7表示如图1之一半导体装置高温能阶测试之结 果。 图8A与图8B表示本发明第二实施例之半导体装置, 其中图8A显示一个半导体电晶体之俯视图,图8B显 示沿着图8A之线8C到8C'部分的剖视图。 图9表示热阻如何随着图8之半导体装置的散热用 带状电极的间隔而变化。 图10A与图10B表示在图8A与图8B之半导体装置内之发 热区域的温度分布图。其中图10A与图10B分别表示 垂直与平行于指状插头的方向。 图11A到图11C显示本发明之第三实施例,图11A为一平 面图,图11B为沿着图11A中之线11D到11D'的剖面图,图 11C为沿着图11A中之线11E到11E'的剖面图。 图12表示热阻如何随着图11A到11B之半导体基板之 厚度而变化。 图13A和13B表示在图11A与图11B之半导体装置内,发热 区域的温度分布图,其中图13A与图13B分别表示垂直 与平行于指状插头的方向。 图14表示第一种习知的半导体装置之剖面图。 图15表示第二种习知的半导体装置之剖面图。 |
