| 主权项 |
1.一种树脂膜形成方法,其特征为具有:搬运树脂膜 形成区域以节距LD排列的长尺寸基膜(11)的步骤; 对应该各树脂膜形成区域之k个喷嘴(61)在基膜(11) 被搬运的路径上,排列规定间隔的步骤; 采用该k个之喷嘴(61)使排列在基膜(11)之一面的k个 之树脂膜形成区域同时形成树脂膜的步骤;以及以 规定量搬运该基膜(11)用来乾燥处理的步骤,对应 于排列在该基膜(11)之一面的树脂膜形成区域之长 度LD,以喷嘴(61)之数量k个变更为使该乾燥之时间 成一定者。2.如申请专利范围第1项之树脂膜形成 方法,其中形成树脂膜的步骤后之基膜(11)之搬运 量,系为kLD。3.如申请专利范围第1项之树脂膜形成 方法,其中基膜(11)系具节距P之定位孔(21),树脂膜 形成区域之长度LD系为该定位孔(21)之n倍(n系整数) 节距者。4.如申请专利范围第3项之树脂膜形成方 法,其中形成树脂膜的步骤后之基膜(11)之搬运量, 系为knP者。5.如申请专利范围第1项之树脂膜形成 方法,其中排列喷嘴(61)的步骤,系包括准备具有喷 嘴夹持具(51)的树脂膜形成装置之步骤,以及对该 喷嘴夹持具(51)装着该k个之喷嘴(61)的步骤。6.如 申请专利范围第1项之树脂膜形成方法,其中形成 树脂膜的步骤,系以停止该基膜(11)来进行者。7.如 申请专利范围第6项之树脂膜形成方法,其中形成 树脂膜的步骤,系在基膜(11)上形成该树脂膜后,包 括以适当的时间,维持基膜(11)之停止者。8.如申请 专利范围第1项之树脂膜形成方法,其中在基膜(11) 之各树脂膜形成区域搭载有半导体晶片(27),形成 该树脂膜的步骤,系至少在半导体晶片搭载部分之 一部份形成该树脂膜者。9.如申请专利范围第8项 之树脂膜形成方法,其中在基膜(11)之各树脂膜形 成区域形成元件孔(23),接合于以突出在元件孔内( 23)所形成的配线(25,26)的半导体晶片(27),由该喷嘴( 61)用来涂敷树脂者。10.如申请专利范围第8项之树 脂膜形成方法,其中形成树脂膜的步骤,系包括预 先对应于各喷嘴(61)之配置位置,准备有用来检测 在基膜(11)之各元件孔(23)内是否搭载有半导体晶 片(27)的感测器之步骤,对搭载有半导体晶片(27)的 部分形成该树脂膜者。11.一种树脂膜形成方法,其 特征为包括:准备以节距LD排列树脂膜形成区域的 长尺寸基膜(11)之步骤; 装着基膜(11)于可搬运地搬运装置之步骤; 在搬运基膜(11)的路径上配置具有q个喷嘴装着部( 53)的树脂膜形成装置,对应于该树脂膜形成区域对 喷嘴装着部(53)装着k个喷嘴(61)之步骤; 由该搬运装置来搬运基膜(11),以树脂膜形成区域 对应于该k个之喷嘴(61)来停止步骤; 使用装着于树脂膜形成装置的k个之喷嘴(61),使树 脂膜形成区域同时形成树脂膜之步骤;以及 以kLD搬运形成有该树脂膜的基膜(11)之步骤。12.如 申请专利范围第11项之树脂膜形成方法,其中装着 于该喷嘴装着部(53)的k个之喷嘴(61);系配置于等差 数列之位置者。13.一种树脂膜形成方法,其特征为 包括:准备以节距LD排列树脂膜形成区域,形成有节 距P之定位孔(21)的长尺寸之基膜(11)之步骤; 装着基膜(11)于可搬运地搬运装置之步骤; 在搬运基膜(11)的路径上配置具有q个喷嘴装着部( 53)的树脂形成装置,使该树脂膜形成区域之长度LD 除定位孔(21)之节距P的数为n(n系整数)时,以k个喷 嘴(61),节距nP装着于该喷嘴装着部(53)之步骤; 由该搬运装置来搬运基膜(11),以树脂膜形成区域 对应于k个之喷嘴(61)来停止之步骤; 使用装着在该树脂形成装置的k个之喷嘴(61),至少 树脂膜形成区域的一部分同时形成树脂膜的步骤, 以及 以knP搬运形成有该树脂膜的基膜(11)的步骤。14.一 种树脂膜形成装置,其特征为具备:搬运装置,用来 搬运将树脂膜形成区域以节距LD排列的的长尺寸 基膜(11); 树脂膜形成装置,在搬运基膜(11)的路径上隔以间 隔所配置的复数之喷嘴(61),及可以装着q个喷嘴(61) 且对应于树脂膜形成区域之长度LD,具有可选择性 的装着k个喷嘴(61)的喷嘴夹持具(51),排列在基膜(11 )之一面的树脂膜形成区域之中,对于k个之树脂膜 形成区域用来同时形成树脂膜;以及 乾燥装置,用来乾燥形成有该树脂膜的基膜(11),由 于将装着于喷嘴夹持具(51)的喷嘴(61)之配置数k个, 反比例于树脂膜形成区域之长度LD来增减,使该树 脂膜形成后新搬运的基膜(11)之搬运距离可设定为 一定者。15.如申请专利范围第14项之树脂膜形成 装置,其中于该树脂膜形成后,包括有kLD搬运基膜( 11)的装置。16.如申请专利范围第14项之树脂膜形 成装置,其中基膜(11)系具有节距P之定位孔(21),树 脂膜形成区域之长度LD系为该定位孔(21)之n倍(n系 整数)节距者。17.如申请专利范围第16项之树脂膜 形成装置,其中树脂膜形成装置,系于树脂膜形成 后,包括有以knP搬送基膜(11)的装置。18.如申请专 利范围第14项之树脂膜形成装置,其中喷嘴夹持具( 51),系因应于装着在夹持具(51)的喷嘴(61)之装着数k 个,至少包括用来变更喷嘴(61)一部份之配置位置 的装置。19.如申请专利范围第14项之树脂膜形成 装置,其中该k个之喷嘴(61),系配置于沿喷嘴夹持具 (51)之之基膜(11)之搬运方向的直线上者。20.如申 请专利范围第14项之树脂膜形成装置,其中于基膜( 11)之各树脂膜形成区域内搭载半导体晶片(27),在 该半导体晶片搭载部分形成树脂膜者。21.如申请 专利范围第20项之树脂膜形成装置,其中该树脂膜 形成装置系于各树脂膜形成区域内,包括检测是否 搭载有半导体晶片(27)的复数之感测器。22.如申请 专利范围第14项之树脂膜形成装置,其中喷嘴夹持 器(51)具有n个之V槽(53),该喷嘴(61)系装着该V槽(53) 者。23.如申请专利范围第22项之树脂膜形成装置, 其中喷嘴(61)系具有喷嘴前端部(62)与喷嘴本体(63), 喷嘴本体(63),喷嘴本体(63)乃具有比喷嘴前端部(62) 较大的外径者。24.如申请专利范围第23项之树脂 膜形成装置,其中喷嘴本体(63)系可装着具有不同 外径的喷嘴前端部(62)之k个喷嘴(61)。25.如申请专 利范围第24项之树脂膜形成装置,其中该k个之喷嘴 (61),实质上具有外经为同样尺寸之喷嘴夹持具(51) 者。26.如申请专利范围第22项之树脂膜形成装置, 其中该k个之喷嘴(61),系于喷嘴夹持具(51)具有的n 个V槽(53)之中,装着在等差数列之位置的V槽(53)者 。图式简单说明: 第1图 系适用本发明的树脂成膜装置之一例的概 略构成图, 第2A图 系第1图所示喷嘴夹持具之一例之要部平面 图, 第2B图 系第2A图所示喷嘴夹持具之本体从前面所 看平面图, 第3图 系第1图所示喷嘴之要部放大剖面图, 第4图 系第3图所示的喷嘴以第2A图表示安装于喷 嘴夹持具状态的放大剖面图, 第5图 系用以说明装着于第2A图所示喷嘴夹持具的 喷嘴之位置及支数图,表示元件区域之长度LD与喷 嘴之配置位置的关系图, 第6图 系习知之树脂成膜装置之概略构成图, 第7图 系表示第6图所示适用于树脂成膜装置的膜 之一例斜视图,及 第8图 系第7图所示膜之放大平面图。 |
