| 主权项 |
1.一种具得定位于基板上之散热片之半导体封装 件,系包括: 一基板,其具有一顶面与一相对之底面,于该顶面 上形成有一晶片黏置区,并在该基板位于晶片黏置 区外之部位上开设有多数之定位孔; 一半导体晶片,其系黏接至该基板之晶片黏置区上 并与该基板形成电性藕接关系; 一散热片,其具有一平坦部,一与该平坦部一体连 设以将该平坦部撑起一预设高度之支撑部,以及多 数形成于该支撑部上之定位部,以由该定位部与基 板之定位孔啮接而将该散热片定位于基板上而不 致产生偏位; 多数之导电元件,其系植接于该基板之底面上;以 及 一封装胶体,用以包覆该半导体晶片与散热片。2. 如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该定 位部之宽度系小于该定位孔之孔径。3.如申请专 利范围第1项之半导体封装件,其中,该定位部具有 一外径较大之上端部及一外径较小之下端部,且该 定位孔亦相对应地具有一孔径较大之上端部及一 孔径较小之下端部。4.如申请专利范围第1项之半 导体封装件,其中,该基板系由一芯层,形成于该芯 层上表面上之第一导电迹线,形成于该芯层下表面 上之第二导电迹线,形成于该芯层上表面上之上拒 焊剂层及芯层下表面上之下拒焊剂层所构成者,并 由该上拒焊剂层之上表面而构成该基板之顶面,以 及由该下拒焊剂层之下表面构成该基成之底面。5 .如申请专利范围第4项之半导体封装件,其中,该定 位孔系自基板之顶面延伸至芯层中者。6.如申请 专利范围第4项之半导体封装件,其中,该定位孔系 自基板之顶面贯穿至基板之底面者。7.如申请专 利范围第4项之半导体封装件,其中,该定位孔系贯 通该上拒焊剂层与第一导电迹线终端所形成之接 地焊垫,而使该定位孔为由基板之顶面延伸至芯层 之上表面者。8.如申请专利范围第4项之半导体封 装件,其中,该定位孔系贯通该上拒焊剂层、第一 导电迹线终端所形成之接地焊垫以及芯层,使该定 位孔位于芯层部位之下端及该下拒焊剂层所封闭 。9.如申请专利范围第4项之半导体封装件,其中, 该定位孔系依序贯穿该上拒焊剂层,第一导电迹线 终端所形成之接地焊垫、芯层、以及下拒焊剂层, 而自该基板之顶面贯穿至基板之底面。10.如申请 专利范围第4项之半导体封装件,其中,该定位孔系 依序贯穿该上拒焊剂层,第一导电迹线终端所形成 之接地焊垫、芯层、第二导电迹线终端所形成之 接地焊垫,以及下拒焊剂层,而使该定位孔系自基 板之顶面贯穿至基板之底面。11.如申请专利范围 第10项之半导体封装件,其中,该第二导电迹线终端 形成之接地焊垫得与接地焊球直接焊接。12.如申 请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该散热片 之定位部系籍一胶黏剂与该定位孔接黏。13.如申 请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该导电元 件系焊球(Solder Ball)。14.如申请专利范围第1项之 半导体封装件,其中,该半导体晶片系藉金线与该 基板导电连接。15.如申请专利范围第1项之半导体 封装件,其中,该半导体晶片系藉焊锡凸块与基板 导电连接。16.如申请专利范围第1项之半导体封装 件,其中,该散热片之平坦部之顶面系外露出该封 装胶体。图式简单说明: 第1图系本发明第一实施例之半导体封装件之剖视 图; 第2图系本发明第二实施例之半导体封装件之局部 放大剖视图; 第3图系本发明第三实施例之半导体封装件之局部 放大剖视图; 第4图系本发明第四实施例之半导体封装件之局部 放大剖视图; 第5图系本发明第五实施例之半导体封装件之局部 放大剖视图; 第6图系本发明第六实施例之半导体封装件之局部 放大剖视图; 第7图系本发明第七实施例之半导体封装件之局部 放大剖视图; 第8图系本发明第八实施例之半导体封装件之剖视 图;以及 第9图系习知半导体封装件之剖视图。 |
