| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung (1) zum Überstrom- und Kurzschlussstromschutz eines Halbleiter-Leistungsschalters (2) unter Ausnutzung der Entsättigungseigenschaft des Leistungsschalters (2). Dabei wird der zeitliche Verlauf einer an dem Leistungsschalter (2) anliegenden Spannung (U_CE) beobachtet und ein Überstrom oder Kurzschlussstrom detektiert, falls die Spannung (U_CE) einen vorgebbaren Spannungspegel (U_1) überschreitet. Um die Überwachung des Leistungsschalters (2) auf Überstrom oder Kurzschlussstrom dahingehend zu verbessern, dass Überströme bzw. Kurzschlussströme sicherer, zuverlässiger und schneller detektiert werden können, wird vorgeschlagen, dass ein weiterer vorgebbarer Spannungspegel (U_2) oberhalb des ersten Spannungspegels (U_1) definiert wird und ein Überstrom oder Kurzschlussstrom detektiert wird, falls die Spannung (U_CE) nach einem Einschalten des Leistungsschalters (2) den weiteren Spannungspegel (U_2) nicht innerhalb einer vorgebbaren Zeitgrenze (t_2) unterschreitet. Je nach Zeitpunkt des Auftretens des Überstroms oder Kurzschlussstroms wird der zu schützende Leistungsschalter (2) sofort oder um eine definierte Zeitspanne (t_v) verzögert abgeschaltet.</p> |
