| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체소자의 게이트산화막 제조방법에 관한 것으로, 실리콘기판상에 존재하는 자연산화막 또는 열산화막을 제거하는 공정과; Al(CH)소오스와 HO를 기화시켜 AlO박막을 형성하는 공정과; 상기 AlO박막이 형성된 기판을 O가스를 이용하여 급속열적 아닐링처리하는 공정과; 상기 급속열적 아닐링처리공정후 O가스를 플라즈마기체로 여기시켜 상기 AlO박막을 플라즈마처리하는 공정을 포함하여 구성되며, 급속열적아닐링(RTA)처리 및 플라즈마처리에 의해 AlO박막을 효과적으로 처리하므로써 박막내에 존재하는 탄소가 제거되고, O플라즈마 처리는 낮은 온도에서 진행이 가능하므로 열적 부담(budget)을 줄일 수 있으며, 산화막의 두께(Tox)의 증가도 막을 수 있다.</p> |
