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Die Erfindung betrifft einen überstromgeschützten Leistungshalbleiterschalter, insbesondere zum Schalten niederohmiger Lasten mit einer zwischen dem Gateanschluss (G) eines Feldeffektleistungstransistors (1) und dessen an der Last (L) liegendem Ausgangsanschluss (OUT) eingeschalteten Strombegrenzungsschaltung (10) und einer mit diesem Gateanschluss (G) verbundenen Ladungslampe (5, 6, 7), mit der dem Gate (G) des Leitungstransistors (1) ein Ladestrom injiziert wird. Die Strombegrenzungsschaltung (10) weist einen ersten Zweig (11) für die Begrenzung des durch die Last (L) und den Leistungstransistor (1) fließenden Stroms (I¶out¶), wenn die Drain-Source-Spannung des Leistungstransistors (1) einen bestimmten Wert (Vs) unterschreitet und einen dazu parallelen zweiten Zweig (12) auf für die Begrenzung des durch die Last (L) und den Leistungstransistor (1) fließenden Stroms (I¶out¶), wenn die Drain-Source-Spannung des Leistungstransistors (1) den bestimmten Spannungswert (Vs) überschreitet.
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