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Jede Speicherzelle ist ein Speichertransistor, der an einer Oberseite eines Halbleiterkörpers mit einer Gate-Elektrode (2) versehen ist, die in einem Graben zwischen einem Source-Bereich (3) und einem Drain-Bereich (4) angeordnet ist, die in dem Halbleitermaterial ausgebildet sind. Die Gate-Elektrode ist von dem Halbleitermaterial durch dielektrisches Material getrennt. Zumindest zwischen dem Source-Bereich und der Gate-Elektrode und zwischen dem Drain-Bereich und der Gate-Elektrode ist eine Oxid-Nitrid-Oxid-Schichtfolge (5, 6, 7) vorhanden, die für das Einfangen von Ladungsträgern an Source und Drain vorgesehen ist.
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