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Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung enthält die folgenden Schritte: (a) Herstellen eines Halbleitersubstrates, das mit einer Isolierschicht gebildet ist, die eine Verdrahtungsvertiefung hat; (b) Bilden einer leitfähigen Schicht durch chemische Dampfabscheidung auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrates, die eine Innenfläche der Verdrahtungsvertiefung enthält, während Lampenlicht auf das Halbleitersubstrat angewendet wird, wobei die leitfähige Schicht im wesentlichen Kupfer umfaßt. Bei diesem Verfahren wird eine Cu-Verdrahtung mit einer hohen Adhäsionskraft durch chemische Dampfabscheidung gebildet.
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