| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체장치 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 제 1 영역과 제 2 영역을 갖는 제 1 도전형의 반도체기판에 선택적으로 절연산화막을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판의 상기 제 1영역과 상기 제 2영역내에 제 2 도전형의 불순물층을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판의 상기 제 2영역에 제 1 마스크층을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판의 상기 제 1영역내에 연속 이온주입방식으로 가속에너지와 도즈양이 서로 다른 제 2도전형의 불순물층을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판의 상기 제 1영역에 제 2 마스크층을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판의 상기 제 2영역내에 연속 이온주입방식으로 가속에너지와 도즈양이 서로 다른 제 1도전형의 불순물층을 형성하는 공정을 구비한다. 따라서, 본 발명은 반도체기판내에 인(P)의 전면이온주입으로 웰(Well)의 측방향확산을 낮춰 추가공정없이 웰내의 트랜지스터의 소스/드레인 영역과 외부웰(Outside Well)간의 펀치스루(Punchthru)를 방지한다. 그리고 반도체기판내에 이중웰(Twin Well)형성을 위한 이온주입 가속에너지를 MeV 이하로 하여 반도체기판내에 점결함의 생성을 억제하여 접합누설전류를 감소시켜 소자특성을 양호하게 한다.</p> |
