| 摘要 |
<p>L'invention concerne une photodiode PIN comportant une suite de couches comprenant une première couche d'un premier type de conductivité, une couche intrinsèque et une seconde couche d'un second type de conductivité. Au moins la couche intrinsèque de la suite de couches présente une structuration verticale sur les parois latérales desquelles la lumière peut parvenir. Selon le procédé qui permet de produire cette photodiode PIN, il est prévu d'effectuer une structuration verticale sur la suite de couches, de sorte à former des parois latérales. La couche intrinsèque est dégagée, afin que la lumière puisse parvenir sur la couche intrinsèque.</p> |
