| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Beleuchtungssystem einer Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit einer Lichtquelle (1), einem ersten Objektiv (7), einem Wabenkondensator (11), einer Blendenebene (13), einer Kondensoroptik (15), einer Bildebene (21) mit einem auszuleuchtenden Feld. Der Wabenkondensor (11) besteht aus mindestens einem ersten eindimensionalen Array (39) erster Zylinderlinsen mit ersten Zylinderachsen und einem zweiten eindimensionalen Array (47) zweiter Zylinderlinsen mit zweiten Zylinderachsen besteht, wobei die zweiten Zylinderachsen senkrecht zu den ersten Zylinderachsen ausgerichtet sind. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß vor dem ersten Array (39) ein drittes eindimensionales Array (35) dritter Zylinderlinsen mit dritten Zylinderachsen zur Divergenzerhöhung angeordnet ist, wobei die dritten Zylinderachsen parallel zu den ersten Zylinderachsen ausgerichtet sind, und daß vor dem zweiten Array (47) ein viertes eindimensionales Array (43) vierter Zylinderlinsen mit vierten Zylinderachsen zur Divergenzerhöhung angeordnet ist, wobei die vierten Zylinderachsen parallel zu den zweiten Zylinderachsen ausgerichtet sind.
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