发明名称 | 具有可注入导电区的半导体封装件及其制造方法 | ||
摘要 | 一种半导体封装件,它具有可注入导电区,以简化半导体封装件的制造,通过降低原材料的价格而降低制造成本并改善半导体封装件的电、热和机械性能,并提供了其制造方法。该半导体封装件包括一个半导体封装件体和固定在半导体封装件体上并在模制处理完成之后从被用作半导体封装件的基底的带膜上分离的可注入导电区。被用作基底的带膜在模制处理之后被从半导体封装件体分离,从而使半导体封装件体中不包括基底。 | ||
申请公布号 | CN1337741A | 申请公布日期 | 2002.02.27 |
申请号 | CN00131634.6 | 申请日期 | 2000.10.20 |
申请人 | 株式会社KOSTAT半导体 | 发明人 | 姜兴洙 |
分类号 | H01L23/28;H01L23/50;H01L21/60 | 主分类号 | H01L23/28 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
主权项 | 1.一种具有可注入导电区的半导体封装件,该半导体封装件包括:一个半导体封装件体,它包括其中具有多个接合台但不具有引线框或基底的半导体芯片,该半导体封装件体由密封树脂形成;以及附着在半导体封装件体将要暴露于外的表面上的可注入导电区,各个可注入导电区与半导体芯片的接合台相电连接。 | ||
地址 | 韩国汉城 |