| 发明名称 | 新型金属半导体接触制作肖特基二极管 | ||
| 摘要 | 本发明主要与肖特基二极管(SBD)的制造方法和结构相关,基于势垒金属与硅接触形成肖特基二极管,利用势垒金属从硅开始至与硅表面接触部分形成的缓冲台阶,可以简便制作SBD,其性能与常规方法制作的SBD相当。 | ||
| 申请公布号 | CN1337747A | 申请公布日期 | 2002.02.27 |
| 申请号 | CN00120878.0 | 申请日期 | 2000.08.04 |
| 申请人 | 北京普罗强生半导体有限公司 | 发明人 | 陈庆丰 |
| 分类号 | H01L29/872 | 主分类号 | H01L29/872 |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 本发明主要与肖特基二极管(SBD)的制造方法和结构相关，基于势垒金属与硅接触形成肖特基二极管，利用势垒金属从硅开始至与硅表面接触部分形成的缓冲台阶，可以简便制作SBD，其性能与常规方法制作的SBD相当。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区安定门外胜古庄2号C座 | ||