| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bildung eines dielektrischen Gebiets in einem Bereich (17) eines Halbleitersubstrats, wobei zunächst ein erster Graben (5) und ein zweiter Graben (7) in dem Bereich des Halbleitersubstrats (1) gebildet werden und ein Steg (6) zwischen dem ersten Graben (5) und dem zweiten Graben (7) gebildet wird. Anschließend wird eine erste dielektrische Schicht (8) in dem ersten Graben (5) und dem zweiten Graben (7) abgeschieden. Der Steg (6) wird nachfolgend entfernt, wodurch ein dritter Graben (9) in dem Halbleitersubstrat (1) entsteht. Anschließend wird eine zweite dielektrische Schicht (10) in dem dritten Graben (9) gebildet. Die erste dielektrische Schicht (8) und die zweite dielektrische Schicht (10) bilden gemeinsam ein dielektrisches Gebiet in dem Halbleitersubstrat (1), auf dem in vorteilhafter Weise Bauelemente mit einer Substratentkopplung angeordnet werden können. <IMAGE></p> |
