| 发明名称 | 用于产生混合色电磁辐射的半导体元件 | ||
| 摘要 | 用于产生混合色电磁辐射(S)的半导体元件,它具有包含第一半导体层(R)和与其相邻安排的具有电致发光区(B)的第二半导体层(E)。第一半导体层(R)具有一种材料,该材料在用由第二半导体层(E)发射的波长λ<SUB>E</SUB>的第一电磁辐射激发时,再发射至少一种较长波长λ<SUB>R</SUB>的辐射。 | ||
| 申请公布号 | CN1338121A | 申请公布日期 | 2002.02.27 |
| 申请号 | CN00803093.6 | 申请日期 | 2000.01.25 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 | 发明人 | D·霍梅;H·维尼施 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;梁永 |
| 主权项 | 1.用于产生混合色电磁辐射(S)，尤其是白光的半导体元件，它具有包含一个第一半导体层(R)和与其相邻安排的第二半导体层(E)的半导体芯片(C)，而第二半导体层(E)包含电致发光区(B)，其特征为，第一半导体层(R)具有一种材料，该材料在用由第二半导体层(E)发射的波长λE的第一电磁辐射激发时，发射至少较长的波长λR的辐射；波长λE的发射的辐射和波长λR的再发射的辐射一起产生混合色辐射(S)。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||