| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供一种小型化的集成的半导体器件,它具有构成梯形电路之类的电阻器。绝缘膜被形成在制作有半导体元件的半导体衬底上,用CMP之类来执行顶部表面的整平。然后,不仅经由整平的绝缘膜在场区上,而且在制作半导体元件的有源区上,制作电阻器。而且,绝缘膜还被形成在电阻器上,并穿过接触孔在电阻器中制作电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1337745A | 申请公布日期 | 2002.02.27 |
| 申请号 | CN01124800.9 | 申请日期 | 2001.08.09 |
| 申请人 | 精工电子有限公司 | 发明人 | 椎木美香;须藤稔 |
| 分类号 | H01L27/04;H01L21/82;H01C7/00 | 主分类号 | H01L27/04 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 陈霁;梁永 |
| 主权项 | 权利要求书1.一种半导体器件，它包含：制作在半导体衬底上的半导体元件；制作在半导体元件上的具有平坦的顶部表面的绝缘膜；以及制作在绝缘膜上的电阻器。 | ||
| 地址 | 日本千叶县 | ||