| 发明名称 | 半导体集成电路器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种制造集成电路的方法,它包含下列步骤:以氮化硅(14)和侧壁间隔(16)作为掩模,利用干法腐蚀方法,在衬底(1)的隔离区中制作沟槽(2a);从氮化硅(14)清除侧壁间隔(16);以及借助于对衬底(1)进行热氧化而处理有源区周边的衬底(1)的表面,使其剖面具有圆度。 | ||
| 申请公布号 | CN1338115A | 申请公布日期 | 2002.02.27 |
| 申请号 | CN99816394.5 | 申请日期 | 1999.12.10 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社 | 发明人 | 铃木范夫;壹添宏之;児岛雅之;冈本圭司;堀部晋一;渡部浩三;吉田安子;池田修二;高松朗;石塚典男;荻岛淳史;下田真岐 |
| 分类号 | H01L21/8242;H01L27/108 | 主分类号 | H01L21/8242 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体集成电路器件，它包含：多个各具有其周边被浅沟槽隔离环绕的岛状平面图形的有源区，所述有源区置于衬底的主表面上，以便沿第一方向具有预定的间距；以及制作在所述多个有源区中的半导体元件；且其中所述各个有源区沿第一方向延伸的宽度与所述相邻有源区之间确定的间隔之和，构成沿第一方向的最小间距，且所述各个有源区沿第一方向的宽度被设定为大于最小间距的一半。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||