发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
摘要 | 一种半导体器件的制造方法。以往的半导体器件的电特性的测定、判断工艺和判断为优良品的半导体器件的捆扎工艺在单独的工艺中进行处理。因此,具有作为捆扎工艺的前工艺,半导体器件需要分开为优良品等级差的工艺,需要多余的时间和工艺这样的缺点。本发明在半导体器件40的特性测定、判断工艺时,把该半导体器件40的数据存储在测试器的存储器中。而且,如图10(B)所示,一个一个地记录所有的半导体器件40的数据,因此,具有在捆扎半导体器件40时,以一条捆扎线,根据该数据按照特性的等级差捆扎半导体器件的特征。 | ||
申请公布号 | CN1337737A | 申请公布日期 | 2002.02.27 |
申请号 | CN01124761.4 | 申请日期 | 2001.08.03 |
申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 池谷浩司 |
分类号 | H01L21/50 | 主分类号 | H01L21/50 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;叶恺东 |
主权项 | 权利要求书1.一种半导体器件的制造方法,该半导体器件在具有多个搭载部分的基板的该搭载部分的每一个上固定半导体芯片,用共同的树脂层把固定在上述各搭载部分的上述半导体芯片的每一个覆盖以后,使上述基板与上述树脂层搭接粘贴在粘合片上,在粘贴在上述粘合片上的状态下进行切割以及测定,进而把粘贴在上述粘合片上的半导体元件直接收容在承载带上,其特征在于:上述半导体元件在测定以后,把各个位置和特性进行数据管理,上述半导体元件按照不同特性收容在承载带上。 | ||
地址 | 日本大阪府 |