摘要 |
Patente de Invenção: "PROCESSO PARA A FABRICAçãO DE UM COMUTADOR PLANO E COMUTADOR FABRICADO DE ACORDO COM ESSE PROCESSO". A invenção refere-se a um processo para a fabricação de um comutador plano (1), no qual um corpo de suporte metálico e que forma partes de suporte de segmento (4; 104) é equipado (52; 152) com um cubo (6) formado de um material isolante eletricamente, é ligado mecanicamente fixo com um disco anular (54; 154) resistente, em um ambiente que exige reação eletricamente condutivo, é dividido (55; 155A) em partes de suporte de segmento (4; 104), o disco anular (54; 154) é dividido (55; 155A) em segmentos anulares (2; 102), e as superfícies das partes metálicas de suporte de segmento que ficam livres pela divisão do corpo de suporte são revestidas com um revestimento resistente em relação ao ambiente, caracterizado pelo fato de que, o revestimento ocorre por meio de separação sem corrente, bem como, refere-se a um comutador fabricado de acordo com esse processo, no qual o cubo, na área da divisão encosta no corpo de suporte. |