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<p>본 발명은 스토리지 노드 콘택홀 부분의 데미지를 최소화할 수 있는 반도체 메모리 소자의 스토리지 노드 콘택홀 형성방법을 개시한다. 개시된 본 발명은, 도전 영역을 포함하는 반도체 기판 상에 제 1 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 도전 영역이 노출되도록 제 1 층간 절연막의 소정 부분을 식각하여, 제 1 스토리지 노드 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 제 1 스토리지 노드 콘택홀 내에 플러그 폴리실리콘막을 형성하는 단계; 상기 플러그 폴리실리콘막 및 제 1 층간 절연막 상부에 에치스톱퍼를 형성하는 단계; 상기 플러그 폴리실리콘막 상부가 노출되도록 에치스톱퍼의 소정 부분을 식각하는 단계; 상기 플러그 폴리실리콘막 및 에치스톱퍼 상부에 제 2 층간 절연막을 형성하는 단계: 및 상기 플러그 폴리실리콘막 및 플러그 폴리실리콘막 양측 에치스톱퍼의 소정 부분이 노출되도록 제 2 층간 절연막의 소정 부분을 식각하여, 제 2 스토리지 노드 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.</p> |
