| 主权项 |
1.一种具有测试误对位(misalignment)之介层链(viachain)结构,系包含;一基板;一第一方向之介层链,系位于该基板上;一第二方向之介层链,系位于该基板上;该二方向之介层链系藉以测试误对位。2.如申请专利范围第1项所述之具有测试误对位(misalignment)之介层链(via chain)结构,其中该基板系为一半导体基板。3.如申请专利范围第1项所述之具有测试误对位(misalignment)之介层链(via chain)结构,其中该第一方向之介层链系至少包含一第一金属层、二介层窗(Via)及一第二金属层,其中该第二金属层与该第一金属层均为第一方向。4.如申请专利范围第3项所述之具有测试误对位(misalignment)之介层链(via chain)结构,其中该第一金属层及该第二金属层系藉该介层窗(Via)形成一链(chain)状结构。5.如申请专利范围第1项所述之具有测试误对位(misalignment)之介层链(via chain)结构,其中该第二方向之介层链系至少包含一第三金属层、二介层窗(Via)及一第四金属层,其中该第四金属层与该第三金属层均为第二方向。6.如申请专利范围第5项所述之具有测试误对位(misalignment)之介层链(via chain)结构,其中该第三金属层及该第四金属层系藉该介层窗(Via)形成一链(chain)状结构。7.如申请专利范围第1项所述之具有测试误对位(misalignment)之介层链(via chain)结构,其中该二方向之介层链系相互分布者。8.如申请专利范围第7项所述之具有测试误对位(misalignment)之介层链(via chain)结构,其中该相互分布系为垂直分布。9.一种具有测试误对位(misalignment)之介层链(via chain)制程,系包含下列步骤:提供一基板;形成一第一方向之介层链于该基板上;形成一第二方向之介层链于该基板上;该二方向之介层链系藉以测试误对位。10.如申请专利范围第9项所述之具有测试误对位(misalignment)之介层链(viachain)制程,其中该基板系为一半导体基板。11.如申请专利范围第9项所述之具有测试误对位(misalignment)之介层链(via chain)制程,其中该第一方向之介层链系至少包含一第一金属层、二介层窗(Via)及一第二金属层,其中该第二金属层与该第一金属层均为第一方向。12.如申请专利范围第11项所述之具有测试误对位(misalignment)之介层链(via chain)制程,其中该第一金属层及该第二金属层系藉该介层窗(Via)形成一链(chain)状结构。13.如申请专利范围第9项所述之具有测试误对位(misalignment)之介层链(via chain)制程,其中该第二方向之介层链系至少包含一第三金属层、二介层窗(Via)及一第四金属层,其中该第四金属层与该第三金属层均为第二方向。14.如申请专利范围第13项所述之具有测试误对位(misalignment)之介层链(via chain)制程,其中该第三金属层及该第四金属层系藉该介层窗(Via)形成一链(chain)状结构。15.如申请专利范围第9项所述之具有测试误对位(misalignment)之介层链(via chain)制程,其中该二方向之介层链系相互垂直者。16.如申请专利范围第9项所述之具有测试误对位(misalignment)之介层链(via chain)制程,其中该二方向之介层链系为同一制程完成。图式简单说明:图一:习用之大线径之介层链(via chain)。图二(a)(b):习用之小线径之介层链(via chain)。图三:本案较佳实施例具二方向之介层链(via chain)。 |
