| 主权项 |
1.一种光石印术光阻体用之底涂组成物,其包括均匀溶液形式之(A)一种含氮有机化合物,其在一分子中具有至少二胺基被至少一选自由羟基烷基和烷氧基烷基组成之群中的取代基所取代;(B)一种有机酸或无机酸,其酸残基含有至少一硫原子;及(C)一种有机溶剂。2.一种光石印术光阻体用之底涂组成物,其包括均匀溶液形式之(A1)一种由以下通式所示之2,4-二胺基-6-苯基均三化合物其中R是氢原子或单价烃基且R1,R2,R3及R4之至少二者各是羟基烷基或烷氧基烷基,若有其余则各是氢原子,或其寡聚物;(B)一种有机酸或无机酸,其酸残基含至少一硫原子;及(C)一种有机溶剂。3.如申请专利范围第2项之光石印术光阻体用之底涂组成物,其中成份(B)之量在0.1至上10重量份每100重量份成份(A1)间。4.如申请专利范围第2项之光石印术光阻体用之底涂组成物,其中由R所示之单价烃基是氢原子。5.如申请专利范围第2项之光石印术光阻体用之底涂组成物,其中由R1,R2,R3和R4所示之羟基烷基是羟基甲基。6.如申请专利范围第2项之光石印术光阻体用之底涂组成物,其中由R1,R2,R3和R4所示之烷氧基烷基选自由甲氧基甲基,乙氧基甲基,丙氧基甲基和丁氧基甲基组成之群中。7.一种光石印术光阻体用之底涂组成物,其包括均匀溶液形式之(A)一种含氮有机化合物,其在一分子中具有至少二胺基被至少一选自由羟基烷基和烷氧基烷基所组成之群中的取代基所取代;(B1)一种有机酸,其酸残基具有烃基,此烃基之至少一部分的氢原子被氟原子取代;(C)一种有机溶剂;及(D)一种光吸收化合物。8.如申请专利范围第7项之光石印术光阻体用之底涂组成物,其中作为成份(B1)之有机酸选自由脂族羧酸,脂族磺酸,烷基苯羧酸和烷基苯磺酸而具有至少一氟原子取代氢原子者所组成之群中。9.如申请专利范围第7项之光石印术光阻体用之底涂组成物,其中作为成份(A)之含氮有机化合物是三化合物。10.如申请专利范围第9项光石印术光阻体用之底涂组成物,其中三化合物是2,4-二胺基-6-苯基均三。11.如申请专利范围第8项之光石印术光阻体用之底涂组成物,其中成份(B1)是具有至少一氟原子取代氢原子之脂族磺酸。12.如申请专利范围第11项之光石印术光阻体用之底涂组成物其中成份(B1)是三氟甲烷磺酸或九氟丁烷磺酸。13.如申请专利范围第7项之光石印术光阻体用之底涂组成物,其中作为成份(D)之光吸收化合物选自由二苯甲酮化合物,二苯基化合物,二苯基亚化合物及化合物。14.如申请专利范围第13项之光石印术光阻体用之底涂组成物,其中成份(D)是化合物。15.如申请专利范围第14项之光石印术光阻体用之底涂组成物,其中化合物是9-羟基甲基或9-羧酸。16.如申请专利范围第7项之光石印术光阻体用之底涂组成物,其中成份(B1)之量是在0.1至10重量份每100重量份成份(A)之范围间。17.如申请专利范围第7项之光石印术光阻体用之底涂组成物,其中成份(D)的量基于成份(A),(B1)及(D)之总量是在5至70wt%范围间。18.一种光石印术光阻体用之底涂组成物,其包括溶液形式之(A)一种含氮有机化合物,其在一分子中具有至少二胺基被至少一选自由羟基烷基和烷氧基烷基组成之群中的取代基取代;(B2)一选自由脂族羧酸,脂族磺酸,烷基苯羧酸,烷基苯磺酸和含硫无机酸组成之群中的酸;(C)一有机溶剂;及(D)一光吸收化合物。19.如申请专利范围第18项之光石印术光阻体用之底涂组成物,其中作为成份(A)之含氮有机化合物是三化合物。20.如申请专利范围第19项之光石印术光阻体用之底涂组成物,其中三化合物是2,4-二胺基-6-苯基均三化合物。21.如申请专利范围第18项之光石印术光阻体用之底涂组成物,其中作为成份(B2)之酸选自由脂族磺酸、烷基苯磺酸和硫酸组成之群中。22.如申请专利范围第21项之光石印术光阻体用之底涂组成物,其中作为成份(B2)之酸是甲烷磺酸或十二烷基苯磺酸。23.如申请专利范围第18项之光石印术光阻体用之底涂组成物,其中作为成份(D)之光吸收化合物选自由2,4-二胺基-6-苯基均三化合物,二苯基化合物,二苯基亚化合物及化合物组成之群中。24.如申请专利范围第18项之光石印术光阻体用之底涂组成物,其中成份(D)是化合物。25.如申请专利范围第24项之光石印术光阻体用之底涂组成物,其中化合物是9-羟基甲基或9-羧酸。26.如申请专利范围第18项之光石印术光阻体用之底涂组成物,其中成份(B2)之量是在0.1至10重量份每100重量份成份(A)之范围间。27.如申请专利范围第18项之光石印术光阻体用之底涂组成物,其中成份(D)之量基于成份(A),(B2)及(D)之总量是在5至70wt%范围间。 |
