发明名称 把微结构从一工具转制到一个要结构化的基质上之装置及方法
摘要 一种将微结构从一工具转制到一要做结构化的基质上之装置及方法,其目的在于,使工具与可成形材料以可控制的方式互相对准。本装置包括工具与基质的支座,其可在一方向上互相调整,使得工具与基质间之距离可被改变。并设一可移入支座间的测量系统,以在至少一垂直于支座调整方向的「测量平面中」测量所选择的位置,该测量系统在测量位置与工具有固定的空间关系。且基质可相对于工具平行于「测量平面」移动,以作对准。此装置及方法可用于制造具微结构之元件。
申请公布号 TW476700 申请公布日期 2002.02.21
申请号 TW089106973 申请日期 2000.04.14
申请人 耶恩光学股份公司 发明人 法兰克洛伊特;路兹 慕勒;阿弗 史普林格
分类号 B29C59/02 主分类号 B29C59/02
代理机构 代理人 林镒珠 台北市长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种把微结构从一工具转制到一个要结构化的基质上之装置,该装置具有可沿一方向互相调移的支座,以各承载该工具与该基质,使得工具与基质间互相之距离可被改变,其特征在于:设有一个可移入该二支座间的测量系统(8),以测量位在至少一垂直于该二支座调整方向的测量平面中的所选择之位置,该测量系统在一测量位置时与工具(46)有固定的空间关系,且基质(34)可相对于该工具(46)平行于测量平面移动,以作对准。2.如申请专利范围第1项所述之装置,其中,工具的支座设在一个可封闭的室的第一部份(6)中,基质(34)支座则设在该室第二部份(7)中,微结构的转制作业在该室中藉模制成形而达成。3.如申请专利范围第2项所述之装置,其中,该室设计成真空室方式。4.如申请专利范围第2项所述之装置,其中该室可用保护气体填充。5.如申请专利范围第1或第2项所述之装置,其中,测量系统包括不同的光分叉路,该分叉路各具不同大小的像场,其中第一光分叉路的放大作用可使人轻易找到所要选择的位置,而第二个光分叉路的放大作用则可使人在测量平面中精确测量所选择的位置。6.如申请专利范围第5项所述之装置,其中,设有一输送装置以将测量系统(8)移入,其具有不同的驱动器(28,29)以达到要先后移到的位置,该第一驱动器(28)将测量系统从室外部的第一位置(30)输送至开启室内的第二位置(31),第二驱动器(29)则将测量系统(8)输送至一与工具(46)对准的位置(32)。7.如申请专利范围第6项所述之装置,其中,在室第二部份(7)中设有将基质(34)相对于工具(46)移动的装置(33),该装置(33)包括两上下重叠的滑板(35)(36),该滑板可平行于该基质的调整平面互相移动,其中上滑板(36)用于做将室封闭的元件。8.如申请专利范围第7项所述之装置,其中,上滑板(36)可与下滑板(35)夹紧。9.如申请专利范围第8项所述之装置,其中,上滑板(36)承载一加热-及冷却单元之第一部份(40),一基质(34)支架固定到其上。10.如申请专利范围第9项所述之装置,其中,该室设有对外密封的侧壁部件以改变室高度,这些侧壁部件本身可沿成形室部件(6,7)的调整方向互相进行调整。11.如申请专利范围第10项所述之装置,其中,工具(46)周面被一固定在室第一部份(6)中一板形体上的圆筒状工具支架(47)包围。12.如申请专利范围第11项所述之装置,其中,板形体与加热-及冷却单元的第二部份(49)连接。13.如申请专利范围第12项所述之装置,其中,工具支架(47)函壳面被一脱模工具(51)包围,该脱模工具可沿该支座互相调整的方向相对于工具支架(47)移动,以便在微结构转制后,使基质(34)脱离工具(46)。14.如申请专利范围第13项所述之装置,其中测量系统(8)、移动装置(33)及室第一部份(6)设有调温液体的通道。15.如申请专利范围第14项所述之装置,其中,在测量系统(8)上部固定着挂钩(11),以将测量系统悬吊到室第一部份(6)的配合设计的挂钩(14)上。16.如申请专利范围第14项所述之装置,其中,基质(34)由一载体层(42)及一设在其上的可变形材料(43)构成。17.如申请专利范围第14项所述之装置,其中,载体层(42)上设一工具,以将结构转制到可变形材料(43)中。18.一种将微结构从一工具转制到一个要结构化的基质上之方法,其利用可在一方向上互相调整之支座以分别承载该工具与基质,工具与基质互相的距离可沿该方向被改变,其特征在于:要将该要结构化的基质(34)相对于工具(46)在一个和载体调整方向垂直的平面中做必需的定位[这种定位系要将微结构(60)作位置准确的转制所需者],其方法系由在一第一结构化的基质(34)上之所转制的微结构(60)之所测的结构位置得到校正値,以校正在至少另一个要做结构化的基质(34)的定位作业,此另一基质的定位作业,系利用微结构(60)距基质(34)上一个记号的距离测定者。19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中,在第一基质(34)上另外求出在转制微结构(60)之前及之后记号(61)的位置,以得到定位的校正値。20.如申请专利范围第18项所述之方法,其中在将基质(34)放置到基质支架(41)前,测定基质支架(41)上的记号(62)的位置,作为校正値。21.如申请专利范围第19或20项所述之方法,其中每一基质(34)成形后皆测定所成形之微结构(60)及记号(61)的位置,作为将随后欲结构化基质(34)定位的校正値。图式简单说明:第一图系微结构成形装置之一原理图;第二图系在一平面上测定所选出的微结构位置之测量系统立体图;第三图系将测量系统送入及送离成形范围之运送装置;第四图系使一要成形的基质相对于工具移动之装置,此移动装置系成形装置的室下部的一整合构件;第五图系第四图装置之俯视图;第六图系基质支架与所承载之基质;第七图系成形装置之室上部。
地址 德国
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