| 主权项 |
1.一种CVD成膜装置,系在真空容器内生成电浆以使活性种(自由基:radical)发生,且在基板上利用该活性种和材料气体进行成膜处理,其特征为:将形成有复数个小径孔之隔壁板设于前述真空容器内,用以将该真空容器之内部区分成电浆生成空间及成膜处理空间;将形成有复数个大径孔之放电用电极板设于前述电浆生成空间之中间位置,用以在形成前述放电用电极板与前述电浆生成空间的前述隔壁板及上壁板之间生成电浆;供给至前述真空容器内的前述材料气体,系通过贯穿及分散前述电浆生成空间、前述放电用电极板的大径孔和前述隔壁板而设的复数个导电性之管道构件而直接导入于前述成膜处理空间内;在前述电浆生成空间所生成的前述活性种,系通过形成于前述隔壁板之小径孔或前述放电用电极板的大径孔而导入于前述成膜处理空间内。2.如申请专利范围第1项之CVD成膜装置,其中,形成于前述隔壁板上的前述复数个小径孔之各个,系在将孔内的气体流速设为u,将实质的孔长度设为L,将相互气体扩散系数设为D时,在满足uL/D>1之条件的状态下,将前述活性种导入于前述成膜处理空间内。3.如申请专利范围第1项之CVD成膜装置,其中,前述隔壁板系连接在供给清洁用高频电力的高频供电部上,并适时地对前述隔壁板供给高频电力以在前述成膜处理空间内生成清洁用电浆。4.如申请专利范围第1项之CVD成膜装置,其中,在前述复数个管道构件之入口侧,设置具备均等板的气体贮气筒。5.如申请专利范围第1项之CVD成膜装置,其中,在前述电浆生成空间之上侧位置设置前述放电用电极,且在该放电用电极和前述隔壁板之间生成电浆,使前述隔壁板的小径孔与前述电极板的大径孔的直径为大致相同。图式简单说明:图1显示本发明之第一实施形态的重要部位纵截面图。图2为隔壁板上所形成的孔之放大截面图。图3为从图1A-A中观看放电用电极的部分截面图。图4显示本发明之第二实施形态的重要部位纵截面图。 |
