发光二极体改良构造

摘要

提供一种发光二极体改良构造，其散热效率较佳，因此发光亮度较高，为一万效率之发光二极体之构造者。其系将支架加厚以使碗深可超过0.6mm，且系于支架上设置支架散热块，并于底面部设置散热胶，且使两根引线为自支架两侧外方朝下延伸者。

主权项

1.一种发光二极体改良构造,其主要包括有晶片、盛放晶片之支架与引线,其系在支架之底部或接近底部处设置支架散热块者,其特征在于:其系加厚支架之厚度以增深盛放晶片之碗深深度至0.6m的以上者2.如申请专利范围第1项之发光二极体改良构造,其特征在于在支架及支架散热块之底部设置散热胶者。3.如申请专利范围第1项之发光二极体改良构造,其特征在于使支架及支架散热块之底部接合于PCB板上者。4.如申请专利范围第2项之发光二极体改良构造,其特征在于使散热胶之底部接合于PCB板上者。图式简单说明:第一图为习知之直立式发光二极体之构成之侧视透视图。第二图为习知之改良型发光二极体之构成之侧视透视图。第三图为本创作之发光二极体改良构造之构成之立体透视图。第四图为本创作之发光二极体改良构造之构成之侧视透视图。第五图为本创作之另一较佳具体实施型态之透视立体图。第六图为本创作之另一实施型态之立体图。