| 主权项 |
1.一种伴随介电层形成阻障层之半导体制造方法,至少包含步骤:于无施加偏向高频电压状态下,使用一反应气体混合物在一晶圆上形成一阻障层;以及于施加偏向高频电压状态下,使用该反应气体混合物,在该阻障层上形成一介电层。2.如申请专利范围第1项所述之伴随介电层形成阻障层之半导体制造方法,其中上述之反应气体混合物为氢化矽(SiH4)与氧气(O2)之混合物,由该反应气体混合物所形成于该晶圆上之阻障层为一多矽基氧化物层(SiliconRich Oxide,SRO)。3.如申请专利范围第1项所述之伴随介电层形成阻障层之半导体制造方法,其中上述之反应气体混合物形成该阻障层时之反应时间为3秒至8秒。4.如申请专利范围第1项所述之伴随介电层形成阻障层之半导体制造方法,其中上述之反应气体混合物形成该阻障层时之反应温度为摄氏400度至600度。5.如申请专利范围第1项所述之伴随介电层形成阻障层之半导体制造方法,其中上述之反应气体混合物形成该阻障层时之反应压力为4至8mTorr。6.如申请专利范围第1项所述之伴随介电层形成阻障层之半导体制造方法,其中上述之介电层系利用一高密度电浆化学气相沉积方式形成。7.如申请专利范围第1项所述之伴随介电层形成阻障层之半导体制造方法,其中上述之介电层为一无掺杂玻璃层(Undoped Silicate Glass,USG)。8.如申请专利范围第1项所述之伴随介电层形成阻障层之半导体制造方法,其中上述之反应气体混合物形成该介电层时之反应时间为20秒至50秒。9.如申请专利范围第1项所述之伴随介电层形成阻障层之半导体制造方法,其中上述之反应气体混合物该介电层时之反应温度为摄氏600度至700度。10.如申请专利范围第1项所述之伴随介电层形成阻障层之半导体制造方法,其中上述之反应气体混合物形成该介电层时之反应压力为4至7 mTorr。11.如申请专利范围第1项所述之伴随介电层形成阻障层之半导体制造方法,其中上述之反应气体混合物形成该介电层时,所施加之偏向高频电压为1000W-4000W,其沉积/溅镀比(D/S Ratio)为2.0至8.0。12.如申请专利范围第2项所述之伴随介电层形成阻障层之半导体制造方法,其中上述之反应气体混合物在形成该阻障层时之反应气体流量系氢化矽(SiH4)为150+/-100sccm、氧气(O2)为215+/-100sccm。13.如申请专利范围第7项所述之伴随介电层形成阻障层之半导体制造方法,其中上述之反应气体混合物在形成该介电层时之反应气体流量系氢化矽为150+/-100sccm、氧气为375+/-150sccm。图式简单说明:图1至图3为示意图,显示习知技术中形成阻障层与介电层之半导体晶圆之局部剖面图。图4至图5为示意图,显示依本发明较佳实施例之伴随介电层形成阻障层之半导体制造方法之半导体晶圆之局部剖面图。 |
